[實用新型]一種高取光率的藍光發光二極管外延片結構有效
| 申請號： | 201320358798.8 | 申請日： | 2013-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN203406314U | 公開（公告）日： | 2014-01-22 |
| 發明（設計）人： | 牛志宇 | 申請（專利權）人： | 東莞市德穎光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215 | 代理人： | 馬騰飛 |
| 地址： | 523330 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高取光率 發光二極管 外延 結構 | ||
1.一種高取光率的藍光發光二極管外延片結構，其特征是：包括自下而上依次設置的鉬襯底（1）、P-CaN下接觸層（2）、PAICaN下過渡層（3）、InGaN/GaN發光層（4）、PAICaN上過渡層（5）和P-CaN上接觸層（6）；所述鉬襯底（1）上表面設有若干第一光提取槽（7），所述P-CaN下接觸層（2）下表面設有與所述第一光提取槽（7）尺寸及數量上相配合的光提取凸體（8），所述PAICaN下過渡層（3）上表面設有若干第二光提取槽（9），所述InGaN/GaN發光層（4）下表面設有與所述第二光提取槽（9）尺寸及數量上相配合的發光凸體（10），所述第一光提取槽（7）、第二光提取槽（9）的底面上，以及光提取凸體（8）的頂端均設有光提取結構。
2.根據權利要求1所述的高取光率的藍光發光二極管外延片結構，其特征是：所述鉬襯底（1）厚度為30～60um；所述第一光提取槽（7）深度為15~30um；所述PAICaN下過渡層（3）厚度為4000~8000nm，所述第二光提取槽（9）深度為2000~4000nm；所述PAICaN上過渡層（5）厚度為4000~8000nm；所述P-CaN上接觸層（6）厚度為2000~4000nm；所述InGaN/GaN（4）發光層厚度為3000~5000nm。
3.根據權利要求1所述的高取光率的藍光發光二極管外延片結構，其特征是：所述第一光提取槽（7）和第二光提取槽（9）均為圓柱形槽，其底面為半球型凹面。
4.根據權利要求1所述的高取光率的藍光發光二極管外延片結構，其特征是：所述光提取凸體（8）伸入第一光提取槽（7）內，光提取凸體（8）伸入量為第一光提取槽（7）深度的一半，其中發光凸體（10）伸入第二光提取槽（9）內，發光凸體（10）伸入量為第二光提取槽（9）深度的一半。
5.根據權利要求1-4任一所述的高取光率的藍光發光二極管外延片結構，其特征是：所述光提取結構為均勻布設在第一光提取槽（7）、第二光提取槽（9）的底面上，以及光提取凸體（8）的頂端若干納米凹坑（11）。
6.根據權利要求1-4任一所述的高取光率的藍光發光二極管外延片結構，其特征是：所述光提取結構為均勻布設在第一光提取槽（7）、第二光提取槽（9）的底面上，以及光提取凸體（8）的頂端若干環形的納米凹紋（12）。
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