[實用新型]一種發光二極管外延片

有效

• 申請號: 201320358708.5
• 申請日: 2013-06-21
• 公開（公告）號: CN203406313U
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 牛志宇
• 申請（專利權）人: 東莞市德穎光電有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/02;H01L33/12
• 代理公司: 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215
• 代理人: 李玉平

1.一種發光二極管外延片，其特征在于：包括藍寶石襯底，所述藍寶石襯底上從下至上依次設有下電流擴展層、下包覆層、發光層、上包覆層、上電流擴展層，所述下電流擴展層連接有第一電極，所述上電流擴展層連接有第二電極。

2.根據權利要求1所述的一種發光二極管外延片，其特征在于：藍寶石襯底與下電流擴展層之間還設置有緩沖層。

3.根據權利要求2所述的一種發光二極管外延片，其特征在于：所述緩沖層包括低溫GaP緩沖層和高溫GaP緩沖層。

4.根據權利要求1所述的一種發光二極管外延片，其特征在于：所述下電流擴展層為3um~4um厚的P型GaP電流擴展層，所述下包覆層為0.3um~0.8um厚的P型AIGaInP包覆層，所述上包覆層為0.3um~0.8um厚的n型AIGaInP包覆層，所述上電流擴展層為4um~15um厚的n型GaP電流擴展層。

5.根據權利要求1所述的一種發光二極管外延片，其特征在于：所述發光層為AIGaInP活性層。

6.根據權利要求1所述的一種發光二極管外延片，其特征在于：所述下電流擴展層為3um~4um厚的n型GaP電流擴展層，所述下包覆層為0.3um~0.8um厚的n型AIGaInP包覆層，所述上包覆層為0.3um~0.8um厚的P型AIGaInP包覆層，所述上電流擴展層為4um~15um厚的P型GaP電流擴展層。