[實(shí)用新型]一種發(fā)光二極管外延片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320358682.4 | 申請(qǐng)日： | 2013-06-21 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN203406319U | 公開（公告）日： | 2014-01-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 牛志宇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 東莞市德穎光電有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/22 | 分類號(hào)： | H01L33/22;H01L33/10;H01L33/14 |
| 代理公司： | 東莞市華南專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44215 | 代理人： | 馬騰飛 |
| 地址： | 523330 廣*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 發(fā)光二極管 外延 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種發(fā)光二極管外延片，其特征在于：包括：
Si襯底層；
圖形層，所述圖形層具有納米凸起圖形，所述納米凸起圖形之間具有空隙間隔，所述圖形層設(shè)置于所述Si襯底層上；
外延層；
接觸層，所述接觸層包括低In組分的低摻雜n型In0.05Ga0.95N層和高In組分的高摻雜n型In0.1Ga0.9N層。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于：所述納米凸起圖形的橫截面形狀為三角形、多邊形或圓形。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于：所述納米凸起圖形的頂部具有平臺(tái)。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于：所述納米凸起圖形的寬度為0.05um，高度為1um，所述納米凸起圖形之間的空隙間隔的寬度為0.5um。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于：所述外延層包括氮化鎵基緩沖層，非摻雜氮化鎵層，n型氮化鎵基層，多量子阱層，p型鋁鎵氮層，p型氮化鎵層。
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