[實用新型]一種垂直型石墨烯LED芯片有效

申請號：	201320358446.2	申請日：	2013-06-21
公開（公告）號：	CN203415610U	公開（公告）日：	2014-01-29
發明（設計）人：	林時勝;李曉強	申請（專利權）人：	杭州格藍豐納米科技有限公司
主分類號：	H01L33/14	分類號：	H01L33/14
代理公司：	杭州求是專利事務所有限公司 33200	代理人：	韓介梅
地址：	310007 浙江省杭***	國省代碼：	浙江;33
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種垂直石墨 led 芯片
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【權利要求書】：

1.一種垂直型石墨烯LED芯片，自下而上依次有背面金屬層（1）、襯底（2）、第一鍵合金屬層（3）、第二鍵合金屬層（4）、p型電極（5）、p型氮化鎵層（6）、多量子阱層（7）、n型氮化鎵層（8）、n型電極（9），其特征是在襯底（2）與背面金屬層（1）的界面有石墨烯層（10），或在襯底（2）與第一鍵合金屬層（3）的界面有石墨烯層（10），或者在襯底（2）與背面金屬層（1）的界面以及襯底（2）與第一鍵合金屬層（3）的界面均有石墨烯層（10）。

2.根據權利要求1所述的垂直型石墨烯LED芯片，其特征在于所述的襯底（2）是硅或鍺。

3.根據權利要求1所述的垂直型石墨烯LED芯片，其特征在于所述的第一鍵合金屬層（3）和第二鍵合金屬層（4）均是金、銀、銅、鋁、鈦和鎳中的一種或幾種的復合金屬。

4.根據權利要求1所述的垂直型石墨烯LED芯片，其特征在于所述的p型電極（4）是鉑、鎳、鈀、鎂、金和銀中的一種或幾種的復合金屬。

5.根據權利要求1所述的垂直型石墨烯LED芯片，其特征在于所述的n型電極（8）是鈦、鋁和金中的一種或幾種的復合金屬。

6.根據權利要求1所述的垂直型石墨烯LED芯片，其特征在于所述的石墨烯層（10）為單層石墨烯、雙層石墨烯或多層石墨烯。

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