[實用新型]電纜耐壓試驗裝置有效
| 申請號: | 201320358198.1 | 申請日: | 2013-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN203337770U | 公開(公告)日: | 2013-12-11 |
| 發明(設計)人: | 張高磊;張之明;胡濱 | 申請(專利權)人: | 河南開啟電力實業有限公司 |
| 主分類號: | G01R31/12 | 分類號: | G01R31/12 |
| 代理公司: | 鄭州紅元帥專利代理事務所(普通合伙) 41117 | 代理人: | 黃軍委 |
| 地址: | 451162 河南省鄭*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電纜 耐壓 試驗裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種試驗裝置,具體的說,涉及了一種用于工頻交流耐壓試驗中的電纜耐壓試驗裝置。
背景技術
工頻交流耐壓試驗是鑒定電線電纜絕緣強度最直接的方法,它對于判斷電線電纜是否投入運行具有決定性的意義,也是保證電線電纜絕緣水平、避免絕緣事故的重要手段。電纜耐壓試驗對電纜絕緣性能要求更高,同時也是檢驗電纜絕緣性能最好的方法。
但是,目前的試驗方法在實際操作中會存在以下問題:將電纜線兩端分別置于兩個灌有絕緣硅油的試驗管中,通電后,兩端的電纜絕緣層與電纜半導體層在電纜半導體層的端部橫斷面附近聚集有大量電荷,造成該橫斷面附近局部電場強度過大,使該橫斷面附近容易被擊穿,造成試驗在沒有正常完成的情況下被迫中斷,通常出現此種情況不是電纜本身的質量問題,而是近端或者遠端放電量過大,并且電量沒有得到有效的釋放或者釋放超過了電纜半導體層的傳輸負荷造成擊穿。而電纜耐壓試驗是一種破壞性試驗,一次試驗沒有完成便不能夠再次使用原來的電纜進行重新試驗,需要重新截取電纜試驗。如此既浪費時間又浪費材料。
為了解決以上存在的問題,人們一直在尋求一種理想的技術解決方案。
實用新型內容
本實用新型的目的是針對現有技術的不足,從而提供一種設計科學、半導體層及其周圍電場均勻、絕緣層與半導體層不易被擊穿的電纜耐壓試驗裝置。
為了實現上述目的,本實用新型所采用的技術方案是:一種電纜耐壓試驗裝置,包括豎向設置在絕緣支架上的一對試驗管,兩個所述試驗管的下端均設有封堵結構,兩個所述封堵結構均具有與電纜線半導體層適配的電纜線插孔;其中一個所述試驗管的上端設有金屬電極蓋,另一個所述試驗管的上端設有絕緣蓋。
基于上述,所述金屬電極蓋包括設置在對應所述試驗管上端的蓋體以及設置在所述蓋體上的電極接頭。
基于上述,所述金屬電極蓋為銅電極蓋,所述絕緣蓋為高阻尼蓋。
基于上述,兩個所述試驗管下端分別設置有閥門。
基于上述,所述試驗管為耐高壓有機玻璃管。
基于上述,所述封堵結構為一體設于所述試驗管下端的封堵板。
本實用新型相對現有技術具有實質性特點和進步,具體的說,該電纜耐壓試驗裝置將電纜線插孔設置在試驗管底端,使得電纜線通過電纜線插孔從下往上插入到試驗管中。使用時從試驗管上端依次注入水和硅油,使電纜線的絕緣層位于硅油中,使電纜線的半導體層位于水中,由于水本身的性質,對于半導體層而言,水層相當于加大了半導體層的體積和表面積,從而使半導體層與絕緣層的分界處附近的電荷分布更均勻,不會在局部聚集,因此不會產生局部場強過大的情況,避免了由于電荷局部聚集造成的擊穿現象的發生,從而順利進行如四倍四小時電纜耐壓試驗等電纜耐壓試驗。
附圖說明
圖1是本實用新型的結構示意圖。
圖中:1.絕緣支架;2.硅油;3.試驗管;4.封堵結構;5.蓋體;6.絕緣蓋;7.電纜線;8.水;9.電極接頭;10.閥門;11.絕緣層;12.半導體層;13.金屬屏蔽層。
具體實施方式
下面通過具體實施方式,對本實用新型的技術方案做進一步的詳細描述。
如圖1所示,一種電纜耐壓試驗裝置,包括豎向設置在絕緣支架1上的一對試驗管3,所述試驗管3為耐高壓有機玻璃管。兩個所述試驗管3的下端均設有封堵結構4,所述封堵結構4為一體設于所述試驗管3下端的封堵板。兩個所述封堵結構4均具有與電纜線7的半導體層12適配的電纜線插孔。這樣設計使得電纜線7通過所述電纜線插孔從下往上插入到試驗管3中,使所述電纜線7的不同電纜層與試驗管3中的不同液體試驗介質相對應,從而進行如四倍四小時電纜耐壓試驗等電纜耐壓試驗。在本實施例中,水8和硅油2均為該試驗的液體試驗介質,水8可以導電,硅油2不導電,由于水8的密度大于硅油2的密度,所以硅油2漂浮在所述水面上。因此,將電纜線7呈“U”型設置,剝開所述電纜線7的兩個端部,使所述電纜線7的兩個所述端部從上到下依次為絕緣層11和半導體層12,將所述電纜線7的兩個端部分別由兩個電纜線插孔向上插入試驗管3,先后向試驗管中注入水8和硅油2使,所述絕緣層11位于所述硅油2中,所述半導體層12位于所述水8中。所述半導體層12具有均勻電場的作用,而所述水8的作用是在所述半導體層12外形成一個用于輔助均勻電場的介質層,使所述半導體層12與所述絕緣層11的分界處的電荷分布更均勻,不會在局部聚集,因此不會產生局部場強過大的情況,保護該分界處附近不被擊穿。
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