[實(shí)用新型]正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320357535.5
• 申請(qǐng)日: 2013-06-20
• 公開（公告）號(hào): CN203416433U
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬學(xué)輝;呂友紅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 興勤（常州）電子有限公司
• 主分類號(hào): H05B3/03
• 分類號(hào): H05B3/03;H05B3/14;C23C14/34;C23C14/18
• 代理公司: 常州市維益專利事務(wù)所 32211
• 代理人: 路接洲

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種熱敏電阻加熱器，特別是一種能夠阻擋銀遷移的正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器。

背景技術(shù)

正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器兩端施加一定的電壓后其因自熱溫升其表面溫度將保持定值，即電阻表面溫度只與所施加的電壓值有關(guān)，而與基本的環(huán)境溫度無(wú)關(guān)，正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器施加電壓后，達(dá)到相應(yīng)的溫度是固定的，因此可以同雙金屬片搭配實(shí)現(xiàn)時(shí)間繼電器的功能，因此本正溫系數(shù)熱敏電阻可以在電器設(shè)備上的到廣泛的應(yīng)用。

在電場(chǎng)的作用下Ag會(huì)產(chǎn)生遷移造成產(chǎn)品的失效，而采用在表層電極和鎳層邊緣設(shè)定一個(gè)距離可以有效阻擋Ag遷移提升產(chǎn)品的可靠性。

目前，正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器普遍采用的電極有以下幾種：1、印刷鋁；2、電噴鋁；3、印刷銀鋅+印刷銀；4、印刷鋁+印刷銀；5、真空濺鍍鉻+濺鍍鎳+印刷銀，其各自的缺點(diǎn)如下：

1、采用印刷鋁或電噴鋁的方式，其附著差，長(zhǎng)期使用的功率衰減大；

2、采用印刷銀鋅+印刷銀或者采用印刷鋁+印刷銀的方式，長(zhǎng)期使用的功率衰減也較大；

目前，正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器普遍采用表層Ag為滿印刷的方式，在電場(chǎng)下會(huì)產(chǎn)生銀的遷移，長(zhǎng)時(shí)間會(huì)產(chǎn)生電極的導(dǎo)通失效。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是：提供一種具有較高的附著力及可靠性，可以有效避免Ag遷移的正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器，包括瓷片，所述的瓷片的表面濺鍍有作為歐姆接觸電極的鉻層；所述的鉻層的外部設(shè)置有鎳層；鎳層表面具有表層銀電極，所述的表層銀電極邊緣距鎳層邊緣留有距離。

具體的說(shuō)，為了形成良好的歐姆接觸，本實(shí)用新型所述的鎳層的厚度為0.3～3微米。

再進(jìn)一步的說(shuō)，本實(shí)用新型所述的表層銀電極與鎳層邊緣的距離至少為0.1mm；所述的瓷片的阻值為1～3K歐姆，表面溫度為170～240℃。

本實(shí)用新型的有益效果是，解決了背景技術(shù)中存在的缺陷，采用鉻鎳層來(lái)克服瓷片表面的勢(shì)壘以與瓷片形成良好的歐姆接觸，通過(guò)真空濺鍍的方式使附著力高，并且通過(guò)表面層電極和鎳層邊緣的距離用來(lái)阻擋Ag遷移，來(lái)提升產(chǎn)品的可靠性。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。

圖1是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中：1、瓷片；2、鉻層；3、鎳層；4、銀電極；5、銀電極邊緣與鎳層邊緣的距離。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在結(jié)合附圖和優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。這些附圖均為簡(jiǎn)化的示意圖，僅以示意方式說(shuō)明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。

如圖1所示的一種正溫系數(shù)熱敏電阻加熱器，包括瓷片1，所述的瓷片1的表面濺鍍有作為歐姆接觸電極的鉻層2；所述的鉻層2的外部設(shè)置有鎳層3；鎳層3表面具有表層銀電極4，所述的表層銀電極4邊緣距鎳層邊緣留有距離5。

圖1中鎳層的厚度為0.3～3微米，所述的瓷片的阻值為1～3K歐姆，表面溫度為170～240℃。

本實(shí)用新型的真空濺鍍過(guò)程為：向真空室腔體內(nèi)通入惰性氣體氬氣并利用電場(chǎng)將氬氣離子化，再通過(guò)磁場(chǎng)加速，形成高能量的入射等離子粒子流，此高能粒子流將其能量或動(dòng)量轉(zhuǎn)移給該真空室內(nèi)的固體鉻和鎳靶材，鉻或鎳靶材累積足夠的能量或動(dòng)量時(shí)，即脫離鎳和鉻靶材表面，并沉淀在瓷片表面形成鎳鉻合金層。

真空濺鍍鉻層、鎳層后再采用絲網(wǎng)印刷工藝增加一層銀電極；在表面的Ag電極與鎳層邊緣留有距離。

以上說(shuō)明書中描述的只是本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式，各種舉例說(shuō)明不對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)內(nèi)容構(gòu)成限制，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在閱讀了說(shuō)明書后可以對(duì)以前所述的具體實(shí)施方式做修改或變形，而不背離實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)和范圍。