[實(shí)用新型]一種斜溝槽超勢(shì)壘整流器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320353171.3
• 申請(qǐng)日: 2013-06-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203339171U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 殷允超;丁磊
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 張家港凱思半導(dǎo)體有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/872
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/872;H01L29/06
• 代理公司: 張家港市高松專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 32209
• 代理人: 張玉平

1.一種斜溝槽超勢(shì)壘整流器件，包括：半導(dǎo)體基板，半導(dǎo)體基板下部為第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底，半導(dǎo)體基板上部為第一導(dǎo)電類(lèi)型的漂移區(qū)，所述第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底與第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移區(qū)相鄰接，半導(dǎo)體基板的上表面為第一主面，半導(dǎo)體基板的下表面為第二主面；所述第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移區(qū)的摻雜濃度低于所述第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底區(qū)的摻雜濃度；其特征在于：所述的第一主面上設(shè)置有至少一個(gè)斜溝槽，斜溝槽延伸進(jìn)入到第一導(dǎo)電類(lèi)型漂移區(qū)，斜溝槽的表面覆蓋有絕緣柵氧化層，在覆蓋有絕緣柵氧化層的斜溝槽內(nèi)填充有導(dǎo)電多晶硅，斜溝槽的周?chē)约皟蓛上噜徯睖喜壑g靠近第一主面處設(shè)置有第二導(dǎo)電類(lèi)型注入?yún)^(qū)，所有的第二導(dǎo)電類(lèi)型注入?yún)^(qū)連在一起，形成第二導(dǎo)電類(lèi)型注入層，所述的斜溝槽上邊緣與第一主面鄰接處設(shè)置有第一導(dǎo)電類(lèi)型注入?yún)^(qū)，第一導(dǎo)電類(lèi)型注入?yún)^(qū)與第二導(dǎo)電類(lèi)型注入層相鄰接；在所述的導(dǎo)電多晶硅和第一主面上淀積有第一金屬層，第一金屬層與導(dǎo)電多晶硅、第一導(dǎo)電類(lèi)型注入?yún)^(qū)和第二導(dǎo)電類(lèi)型注入層均歐姆接觸；在第二主面上淀積有第二金屬層，第二金屬層與第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底歐姆接觸。

2.如權(quán)利要求1所述的斜溝槽超勢(shì)壘整流器件，其特征在于：所述第一金屬層上設(shè)有陽(yáng)極端。

3.如權(quán)利要求1或2所述的斜溝槽超勢(shì)壘整流器件，其特征在于：所述第二金屬層上設(shè)有陰極端。