[實用新型]抑制Yb-ASE的鉺鐿共摻光纖激光器有效
| 申請號： | 201320352697.X | 申請日： | 2013-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN203387042U | 公開（公告）日： | 2014-01-08 |
| 發明（設計）人： | 阮雙琛;歐陽德欽;郭春雨;閆培光 | 申請（專利權）人： | 深圳大學 |
| 主分類號： | H01S3/067 | 分類號： | H01S3/067 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知識產權事務所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 陳健 |
| 地址： | 518000 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 抑制 yb ase 鉺鐿共摻 光纖 激光器 | ||
1.一種抑制Yb-ASE的鉺鐿共摻光纖激光器，其特征在于，包括：
種子激光器，產生激光作為種子光；
功率放大級，對所述種子光進行功率放大；
第一全固光子帶隙光纖，其設置于所述功率放大級的前端，帶隙覆蓋鐿波段而不包含鉺波段，用于損耗后向Yb-ASE；
第二全固光子帶隙光纖，其設置于所述功率放大級的后端，帶隙覆蓋鐿波段而不包含鉺波段，用于損耗前向Yb-ASE。
2.如權利要求1所述的激光器，其特征在于，所述第一全固光子帶隙光纖或第二全固光子帶隙光纖的帶隙位于1030nm-1140nm波段。
3.如權利要求1所述的激光器，其特征在于，所述功率放大級的增益介質為鉺鐿共摻雙包層光纖，信號光在纖芯傳輸，泵浦光在內包層傳輸。
4.如權利要求1所述的激光器，其特征在于，所述功率放大級的泵浦光由半導體泵浦激光器產生。
5.如權利要求1所述的激光器，其特征在于，還包括：功率預放大級，其設置于所述功率放大級之前，用于對所述種子光進行功率預放大。
6.如權利要求5所述的激光器，其特征在于，所述功率預放大級為耦接的第一摻鉺光纖放大器及第二摻鉺光纖放大器。
7.如權利要求5所述的激光器，其特征在于，還包括：光纖隔離器，其耦接于所述功率預放大級之后，用于防止所述種子光反向傳輸損壞所述功率預放大級。
8.如權利要求1所述的激光器，其特征在于，還包括：波分復用器，其耦接于所述第一全固光子帶隙光纖前端，用于監測后向Yb-ASE。
9.如權利要求1所述的激光器，其特征在于，還包括：包層功率剝離器，其耦接于所述功率放大級之后，用于濾除未被吸收的泵浦光。
10.如權利要求1所述的激光器，其特征在于，還包括：光纖端帽，其熔接在所述第二全固光子帶隙光纖末端。
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