[實用新型]用于外延沉積III-V材料層的反應腔

有效

• 申請號: 201320346387.7
• 申請日: 2013-06-17
• 公開（公告）號: CN203346471U
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 黃允文
• 申請（專利權）人: 光壘光電科技（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/30
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 楊林;馬翠平

1.一種用于外延沉積III-V材料層的反應腔，所述反應腔包括：

腔體；

設置于所述腔體底部的加熱器；

設置于所述加熱器上方的襯底托盤；以及

設置于所述腔體頂部的噴淋頭，其特征在于，所述反應腔還包括位移裝置，以及設置于所述噴淋頭與所述襯底托盤之間的吸熱板；所述位移裝置用于調整所述吸熱板與噴淋頭之間的距離以控制所述吸熱板面向所述加熱器一側表面的溫度，所述噴淋頭向所述吸熱板與所述襯底托盤之間所限定的反應區輸出反應氣體。

2.根據權利要求1所述的反應腔，其特征在于，所述吸熱板上設有若干個流通單元，用于使噴淋頭噴出的反應氣體通過所述流通單元進入所述反應區。

3.根據權利要求2所述的反應腔，其特征在于，所述噴淋頭包括朝遠離吸熱板方向依次層疊的冷卻腔、V族源擴散腔和III族源擴散腔；

以及第一氣管和第二氣管，所述第一氣管穿過所述V族源擴散腔和冷卻腔，并穿出所述噴淋頭底部；所述第二氣管穿過所述冷卻腔，并穿出所述噴淋頭底部；所述第一氣管和第二氣管中至少一個穿過所述吸熱板的流通單元進入所述吸熱板與所述襯底托盤之間的區域。

4.根據權利要求1所述的反應腔，其特征在于，所述位移裝置包括移動部和用于驅動所述移動部移動的驅動部。

5.根據權利要求4所述的反應腔，其特征在于，所述移動部連接所述吸熱板；所述驅動部設置于所述噴淋頭上；驅動部驅動所述位移部移動，從而帶動所述吸熱板遠離或接近所述噴淋頭。

6.根據權利要求4所述的反應腔，其特征在于，所述移動部連接所述吸熱板，所述驅動部設置于所述腔體上，驅動部驅動所述位移部移動，從而帶動所述吸熱板遠離或接近所述噴淋頭。

7.根據權利要求4所述的反應腔，其特征在于，所述吸熱板固定于所述腔體側壁；所述移動部設置于所述噴淋頭上，所述驅動部連接所述腔體，驅動部驅動所述位移部移動，從而帶動所述吸熱板遠離或接近所述噴淋頭。

8.根據權利要求1或2或3或4所述的反應腔，其特征在于，所述吸熱板面積大于所述噴淋頭底面面積。

9.根據權利要求3所述的反應腔，其特征在于，還包括III族源、V族源，所述III族源與所述III族源擴散腔相連通，所述V族源與V族源擴散腔相連通；所述III族源為鎵源；所述V族源為氮源。

10.根據權利要求3所述的反應腔，其特征在于，所述流通單元為貫穿于所述吸熱板的通孔，所述通孔的位置和布局與所述第一氣管和第二氣管的位置和布局一一對應設置，所述通孔與第一氣管的管壁和/或第二氣管的管壁之間具有間隙。