[實用新型]晶體硅太陽能電池有效
| 申請號： | 201320345849.3 | 申請日： | 2013-06-17 |
| 公開（公告）號： | CN203325915U | 公開（公告）日： | 2013-12-04 |
| 發明（設計）人： | 夏正月;任常瑞;張滿良;高艷濤;陶龍忠;張斌;邢國強 | 申請（專利權）人： | 奧特斯維能源（太倉）有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 夏雪 |
| 地址： | 215434 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶體 太陽能電池 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶體硅太陽能電池，包括硅襯底和生長在硅襯底表面的氮化硅薄膜，其特征在于：在所述硅襯底和氮化硅薄膜之間還生長有氧化硅薄膜或非晶硅薄膜。
2.根據權利要求1所述晶體硅太陽能電池，其特征在于：所述氧化硅薄膜用PECVD或APCVD或濕法溶液或熱退火的方法制備。
3.根據權利要求1所述晶體硅太陽能電池，其特征在于：所述氧化硅薄膜的厚度為1-100nm。
4.根據權利要求1所述晶體硅太陽能電池，其特征在于：所述非晶硅薄膜用PECVD的方法制備。
5.根據權利要求1所述晶體硅太陽能電池，其特征在于：所述非晶硅薄膜的厚度為1-50nm。
6.根據權利要求1所述晶體硅太陽能電池，其特征在于：所述氮化硅薄膜的折射率為1.9-2.6，厚度為40-150nm。
7.根據權利要求3所述晶體硅太陽能電池，其特征在于：所述氧化硅薄膜的厚度為3-8nm。
8.根據權利要求4所述晶體硅太陽能電池，其特征在于：所述非晶硅薄膜的厚度為3-5nm。
9.根據權利要求6所述晶體硅太陽能電池，其特征在于：所述氮化硅薄膜的厚度為70-75nm。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
