[實用新型]用于光學和電子器件的圖案化結(jié)構(gòu)基板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320345033.0 | 申請日: | 2013-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN203339140U | 公開(公告)日: | 2013-12-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 高鞠 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州晶品光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/14 | 分類號: | H01L23/14;H01L23/13;H01L23/373 |
| 代理公司: | 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 湯東鳳 |
| 地址: | 215211 江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 光學 電子器件 圖案 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領域
本實用新型屬于電子技術(shù)領域,更具體的說,本實用新型涉及一種用于光學和電子器件的圖案化結(jié)構(gòu)基板。
背景技術(shù)
用于光學和/或電子的器件,如集成電路或者激光二極管均需要利用熱傳導材料來進行傳熱。為此需要采用金屬基體,如銅基體,并且在所述光學和/或電子的器件與金屬基體之間經(jīng)常需要電隔離。而有些陶瓷材料具有較高的熱傳導效率并且對電是絕緣的。為此經(jīng)常在光學和/或電子的器件與金屬基體之間使用高導熱的陶瓷材料作為用于提供電隔離而又仍然維持熱傳導性的中間材料。為了提供從光學和/或電子的器件向金屬基體的高效傳熱,在陶瓷與金屬基體之間提供良好的熱界面是必需的。
而且在越來越多的應用中,需要將多個光學和/或電子器件耦合到具有電隔離和導熱的功能結(jié)構(gòu)中。而為了容納多個光學和/或電子器件,需要使用更大尺寸的基體材料,例如需要使用更大的金屬基體以及陶瓷板。然而如果將所述多個光學和/或電子器件耦合到單一界面的陶瓷組件上的時候,則各耦合的光學和/或電子器件之間將會導致熱傳遞困難,而且可能會導致電性傳導而發(fā)生短路。為此,需要在多個光學和/或電子器件之間提供電隔離和熱隔離。
實用新型內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述技術(shù)問題,本實用新型的目的在于提供一種用于光學和電子器件的圖案化結(jié)構(gòu)基板。
為了實現(xiàn)上述目的,本實用新型采用了以下技術(shù)方案:
本實用新型所述的用于光學和電子器件的圖案化結(jié)構(gòu)基板,包括金屬基體,其特征在于在所述金屬基體上形成有過渡層,在所述過渡層上形成有陶瓷層,并通過蝕刻所述陶瓷層以及過渡層形成多個隔離基座。
其中,所述陶瓷層的厚度為10-500?μm;所述陶瓷層例如可以是氧化硅,氧化鋁,氧化鋯,氧化鈦,氧化鋅,釔鋁石榴石,氮化鋁,氮化硼,氮化硅和碳化硅中的一種。所述陶瓷層能夠?qū)崿F(xiàn)橫向和徑向的熱傳導,此外還具有優(yōu)異的耐壓性能。
其中,所述陶瓷層隔離基座可以通過濺射、蒸鍍、電弧沉積、化學氣相沉積或等離子增強化學氣相沉積法制備得到。
本實用新型的技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下有益效果:
(1)本實用新型所述的用于光學和電子器件的圖案化結(jié)構(gòu)基板,具有更大尺寸的金屬基板,并且可以容納多個光學和/或電子器件,而且所述的多個光學和/或電子器件之間具有良好的電隔離和熱隔離。
(2)本實用新型所述的用于光學和電子器件的圖案化結(jié)構(gòu)基板中,所述的高導熱陶瓷層能夠?qū)崿F(xiàn)徑向有效的熱傳導和轉(zhuǎn)移,解決光學和/或電子部件的散熱問題;而且還具有高的耐電壓擊穿性能。
(3)本實用新型所述的用于光學和電子器件的圖案化結(jié)構(gòu)基板中,根據(jù)需要可以在所述隔離基座上形成金屬電路層,所述金屬電路層可以通過在陶瓷層上沉積金屬層,然后干蝕刻形成;也可以在隔離基座形成后通過沉積或涂覆形成。
附圖說明
???圖1?為實施例1所述用于光學和電子器件的圖案化結(jié)構(gòu)基板的示意圖。
具體實施方式
實施例1
如附圖1所示,本實用新型所述的用于光學和電子器件的圖案化結(jié)構(gòu)基板,包括金屬基體10,在所述金屬基體上形成有過渡層20,在所述過渡層上形成有陶瓷層30,并通過蝕刻所述陶瓷層以及過渡層形成多個隔離基座40。所述陶瓷層的厚度為10-500?um;所述陶瓷層選自氧化硅,氧化鋁,氧化鋯,氧化鈦,氧化鋅,釔鋁石榴石,氮化鋁,氮化硼,氮化硅和碳化硅中的一種。所述陶瓷層可以通過濺射、蒸鍍、電弧沉積、化學氣相沉積或等離子增強化學氣相沉積法制備得到。優(yōu)選通過電弧沉積法制備得到所述陶瓷層。本實施例所述的結(jié)構(gòu)可以用于諸如LED等的光學器件或者線路板等電子器件,并且可以在單個的金屬基板上密集布設多個光學和/或電子器件,而不必擔心所述多個光學和/或電子器件之間的熱傳導和電傳導。
對于本領域的普通技術(shù)人員而言,應當理解可以在不脫離本實用新型公開的范圍以內(nèi),可以采用等同替換或等效變換形式實施上述實施例。本實用新型的保護范圍并不限于具體實施方式部分的具體實施例,只要沒有脫離實用新型實質(zhì)的實施方式,均應理解為落在了本實用新型要求的保護范圍之內(nèi)。
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