[實(shí)用新型]多陶瓷層LED封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320344951.1 | 申請(qǐng)日: | 2013-06-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203339214U | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-12-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高鞠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州晶品光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/48 | 分類號(hào): | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/64 |
| 代理公司: | 北京科億知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 湯東鳳 |
| 地址: | 215211 江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陶瓷 led 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種多陶瓷層LED封裝結(jié)構(gòu),包括金屬基體,其特征在于在所述金屬基體上依次形成有耐壓陶瓷層和高導(dǎo)熱陶瓷層,在所述高導(dǎo)熱陶瓷層上形成有金屬電路層和熒光陶瓷層;而在所述金屬電路層和熒光陶瓷層上設(shè)置有LED芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多陶瓷層LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于所述熒光陶瓷層的厚度為10-100?um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多陶瓷層LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于所述高導(dǎo)熱陶瓷層的厚度為10-500?um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多陶瓷層LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于所述耐壓陶瓷層的厚度為10-500?um。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多陶瓷層LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于所述金屬基板與耐壓陶瓷層之間、耐壓陶瓷層與高導(dǎo)熱陶瓷層之間,以及高導(dǎo)熱陶瓷層與熒光陶瓷層之間具有釬焊層。
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