[實(shí)用新型]用于測(cè)量集成電路器件中的溫度和電流的系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320341988.9
• 申請(qǐng)日: 2013-06-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203414187U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: F.約斯特
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G01K7/01
• 分類號(hào): G01K7/01;G01R19/00
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 胡莉莉;劉春元

1.一種單片半導(dǎo)體器件，其包括：

半導(dǎo)體器件部分；以及

傳感器部分，其與半導(dǎo)體器件部分一起單片形成，且被配置為感測(cè)半導(dǎo)體器件部分的至少一個(gè)特性。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，

半導(dǎo)體器件部分包括功率半導(dǎo)體器件部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其中，

功率半導(dǎo)體器件部分包括絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）或功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）中的一個(gè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其中，

至少一個(gè)特性包括溫度或電流。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，

傳感器部分在后端制造工藝中與半導(dǎo)體器件部分一起單片形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，

傳感器部分包括薄金屬層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中，

薄金屬層包括鉑、鎳鐵、鎳或磁阻（xMR）材料中的至少一個(gè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其中，

薄金屬層包括xMR傳感器橋。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，進(jìn)一步包括耦合到薄金屬層的外部電阻器元件，其中，傳感器部分被配置為，通過(guò)測(cè)量跨越外部電阻器元件的電流降或電壓降中的一個(gè)來(lái)感測(cè)至少一個(gè)特性。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中，

傳感器部分進(jìn)一步包括接觸層和隔離層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，

傳感器部分通過(guò)隔離層耦合到半導(dǎo)體器件部分。

12.一種半導(dǎo)體器件，其包括：

半導(dǎo)體器件部分；

感測(cè)部分，其被配置為感測(cè)半導(dǎo)體器件部分的溫度或電流中的至少一個(gè)；以及

隔離層，其被耦合在半導(dǎo)體器件部分與感測(cè)部分之間，使得半導(dǎo)體器件部分、隔離層和感測(cè)部分形成單片半導(dǎo)體器件。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，其中，

半導(dǎo)體器件部分包括功率半導(dǎo)體器件。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中，

功率半導(dǎo)體器件包括絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）或功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）中的一個(gè)。

15.權(quán)利要求12所述的器件，其中，

感測(cè)部分包括傳感器層和接觸層。

16.權(quán)利要求12所述的器件，其中，

感測(cè)部分包括傳感器橋。