[實(shí)用新型]一種電流采樣保持電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320339031.0 | 申請(qǐng)日: | 2013-06-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203350332U | 公開(公告)日: | 2013-12-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王鳳輝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江海振電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R19/00 | 分類號(hào): | G01R19/00 |
| 代理公司: | 湖州金衛(wèi)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 33232 | 代理人: | 趙衛(wèi)康 |
| 地址: | 313000 浙江省湖州*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電流 采樣 保持 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種電流采樣保持電路,屬于電流檢測(cè)技術(shù)。?
背景技術(shù)
現(xiàn)有技術(shù)中,直流電流采樣一般用電流傳感器或采用模擬開關(guān)進(jìn)行電流采樣保持,但其成本高,且對(duì)傳感器在電流采樣上的應(yīng)用要具備較高的技術(shù)要求。?
MOS管是指在集成電路中用來(lái)代替開關(guān)的絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管,MOS管有三個(gè)極:源極S、漏極D、和柵極(或控制極)G,工作原理是在給源極和漏極之間加上正確極性和大小的電壓(因管型而異)后,再給G極和源極之間加上控制電壓,就會(huì)有相應(yīng)大小的電流從源極流向漏極,如果信號(hào)電壓夠大,這個(gè)電路就能瞬間飽和而成為一個(gè)開關(guān)了。?
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種電流采樣保持電路,其成本低,電路設(shè)置簡(jiǎn)單合理,結(jié)構(gòu)元件簡(jiǎn)單,且運(yùn)行穩(wěn)定。?
為了達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:一種電流采樣保持電路,包括MOS管、電容、多個(gè)電阻、運(yùn)算放大器和微處理器;第一電阻一側(cè)是電流輸入采樣側(cè),其另一側(cè)與MOS管源極連接;MOS管的柵極通過(guò)第二電阻后連接到微處理器MCU,進(jìn)行采樣控制信號(hào)輸出;MOS管的漏極與電容連接,通過(guò)對(duì)電容充電來(lái)對(duì)所采集的信號(hào)進(jìn)行保持,最后通過(guò)運(yùn)算放大器將保持信號(hào)進(jìn)行放大并輸出至微處理器。?
優(yōu)選地,MOS管的漏極與電容、第三電阻的連接點(diǎn)連接,第三電阻的另一側(cè)與運(yùn)算放大器的正相輸入端連接放大后輸出到微處理器;電容的另一端依次通過(guò)串聯(lián)的第四電阻、第五電阻后連接到微處理器。?
優(yōu)選地,第六電阻連接在MOS管的柵極和地之間。?
優(yōu)選地,所述運(yùn)算放大器采用LM358芯片。?
優(yōu)選地,所述MOS管采用BSS138芯片。?
優(yōu)選地,所述第一電阻阻值為200歐姆,第二電阻阻值為200歐姆,第三電阻阻值為200歐姆,第四電阻阻值為1.5k歐姆,第五電阻阻值為10k歐姆,第六電阻阻值為10k歐姆。?
本實(shí)用新型的有益效果如下:本實(shí)用新型采用MOS管和電容構(gòu)成采樣保持,并采用軟件硬件結(jié)合,當(dāng)有電流輸入時(shí)(負(fù)載驅(qū)動(dòng)打開狀態(tài)),MOS管被打開,然后通過(guò)對(duì)電容的充電對(duì)所采集的信號(hào)進(jìn)行保持,最后通過(guò)運(yùn)算放大器將保持信號(hào)進(jìn)行放大并輸出至微處理器。本實(shí)用新型成本低,結(jié)構(gòu)元件簡(jiǎn)單,且運(yùn)行穩(wěn)定。?
附圖說(shuō)明
圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例電路原理圖。?
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及有益效果,下面將結(jié)合具體實(shí)施例以及附圖做進(jìn)一步的說(shuō)明。?
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型所述技術(shù)方案作進(jìn)一步的詳細(xì)描述,以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好的理解本實(shí)用新型并能予以實(shí)施,但所舉實(shí)施例不作為對(duì)本實(shí)用新型的限定。?
本實(shí)用新型實(shí)施例采用MOS管和電容構(gòu)成采樣保持,并采用軟件硬件結(jié)合,當(dāng)有電流輸入時(shí)(負(fù)載驅(qū)動(dòng)打開狀態(tài)),MOS管被打開,然后通過(guò)對(duì)電容的充電對(duì)所采集的信號(hào)進(jìn)行保持,最后通過(guò)運(yùn)算放大器將保持信號(hào)進(jìn)行放大并輸出至微處理器。?
如圖1所示的電路原理圖中,本實(shí)用新型實(shí)施例采樣保持電路中:第一電阻R1的一側(cè)是電流輸入采樣側(cè),其另一側(cè)與MOS管Q2源極連接;MOS管Q2的柵極通過(guò)第二電阻R2后連接到微處理器MCU,進(jìn)行采樣控制信號(hào)輸出;MOS管Q2的漏極與電容C7、第三電阻R3的連接點(diǎn)連接,第三電阻R3的另一側(cè)與運(yùn)算放大器IC2B的正相輸入端連接放大后輸出到微處理器MCU;電容C7的另一端依次通過(guò)串聯(lián)的第四電阻R4、第五電阻R5后連接到微處理器MCU。?
第六電阻R6連接在MOS管Q2的柵極和地之間,第六電阻R6阻值為10k歐姆,用于MOS管Q2保護(hù)接地。?
所述運(yùn)算放大器IC2B采用LM358芯片。?
所述MOS管Q2采用BSS138芯片。?
所述第一電阻R1阻值為200歐姆,用于采樣輸入側(cè)抗干擾。?
第二電阻R2阻值為200歐姆,是MOS管Q2驅(qū)動(dòng)電阻。?
第三電阻R3阻值為200歐姆,第四電阻R4阻值為1.5k歐姆,第五電阻R5阻值為10k歐姆,均是運(yùn)算放大電路中的調(diào)整電阻。?
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