[實用新型]支持LED燈接入的IO復用端口有效
| 申請號: | 201320338093.X | 申請日: | 2013-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN203287730U | 公開(公告)日: | 2013-11-13 |
| 發明(設計)人: | 任佳 | 申請(專利權)人: | 成都銳奕信息技術有限公司 |
| 主分類號: | G05B19/042 | 分類號: | G05B19/042;H05B37/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 610000 *** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 支持 led 接入 io 端口 | ||
技術領域
本實用新型涉及到一種復用端口,特別是涉及一種支持LED燈接入的IO復用端口。
背景技術
IO端口即是輸入輸出端口,一般只有一種用途,現有的電子設備中,單用途的IO端口顯然不符合要求,很多時候要求接入一些設備,如LED燈,用于方便修理設備。
實用新型內容
本實用新型的目的在于克服上述現有技術的缺點和不足,提供了一種支持LED燈接入的IO復用端口,解決現有電子設備上的IO端口都為單用端口,很多情況使用不便的缺陷。
本實用新型的目的通過下述技術方案實現:支持LED燈接入的IO復用端口,包括IO端口控制電路和LED燈控制電路,所述的IO端口控制電路包括驅動放大器U、PMOS管Q1和NMOS管Q2,驅動放大器U的輸出連接IO端口,其輸入接內部電路,PMOS管Q1的源極連接電源,漏極連接驅動放大器U的正極電源端,NMOS管Q2的源極接地,漏極連接驅動放大器U的負極電源端,且PMOS管Q1和NMOS管Q2的柵極都連接一個繼電器J1,LED燈控制電路包括NMOS管Q3和NMOS管Q4,所述的NMOS管Q3和NMOS管Q4的源極都接地,NMOS管Q3的漏極連接IO端口,NMOS管Q4的漏極連接NMOS管Q3的柵極,NMOS管Q4的柵極連接到一個繼電器J2。本專利中,繼電器J1是用于控制PMOS管Q1、NMOS管Q2的開關,繼電器J2是控制NMOS管Q4的開關,繼電器J1控制PMOS管Q1、NMOS管Q2開啟時,驅動放大器U即得電,得以啟動,此時,繼電器J2控制NMOS管Q4關閉,NMOS管Q3也被關閉,使得IO端口即作為內部電路的輸入輸出;繼電器J1控制PMOS管Q1、NMOS管Q2關閉,驅動放大器U1即失電,得以關閉,此時繼電器J2控制NMOS管Q4開啟,NMOS管Q3也被開啟,IO端口處接入一LED燈,LED燈一端接IO端口,另一端接電源,而且可以通過繼電器J2控制LED燈的亮度。
進一步,上述NMOS管Q3的源極和柵極之間設置有一個保護電阻R1,用于保護NMOS管Q3。
進一步,上述NMOS管Q4的源極和柵極之間設置有一個保護電阻R2,用于保護NMOS管Q4。
本實用新型的有益效果是:在IO端口和內部電路之間設置一個開關電路,即可開啟關閉IO端口與內部電路的連接,再在IO端口處設置一個控制電路,IO端口可接入LED燈,控制電路可控制LED燈的亮度,這樣使得IO端口得以復用,不僅作為電子設備的輸入輸出,在電子設備出現故障時,接入LED燈,方便檢修。
附圖說明
圖1?為實施例1的結構示意圖;
圖2?為實施例2的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合實施例對本實用新型作進一步的詳細說明,但是本實用新型的結構不僅限于以下實施例:
【實施例1】
如圖1所示,支持LED燈接入的IO復用端口,
包括IO端口控制電路和LED燈控制電路,所述的IO端口控制電路包括驅動放大器U、PMOS管Q1和NMOS管Q2,驅動放大器U的輸出連接IO端口,其輸入接內部電路,PMOS管Q1的源極連接電源,漏極連接驅動放大器U的正極電源端,NMOS管Q2的源極接地,漏極連接驅動放大器U的負極電源端,且PMOS管Q1和NMOS管Q2的柵極都連接一個繼電器J1,LED燈控制電路包括NMOS管Q3和NMOS管Q4,所述的NMOS管Q3和NMOS管Q4的源極都接地,NMOS管Q3的漏極連接IO端口,NMOS管Q4的漏極連接NMOS管Q3的柵極,NMOS管Q4的柵極連接到一個繼電器J2。本專利中,繼電器J1是用于控制PMOS管Q1、NMOS管Q2的開關,繼電器J2是控制NMOS管Q4的開關,繼電器J1控制PMOS管Q1、NMOS管Q2開啟時,驅動放大器U即得電,得以啟動,此時,繼電器J2控制NMOS管Q4關閉,NMOS管Q3也被關閉,使得IO端口即作為內部電路的輸入輸出;繼電器J1控制PMOS管Q1、NMOS管Q2關閉,驅動放大器U1即失電,得以關閉,此時繼電器J2控制NMOS管Q4開啟,NMOS管Q3也被開啟,IO端口處接入一LED燈,LED燈一端接IO端口,另一端接電源,而且可以通過繼電器J2控制LED燈的亮度。
進一步,上述NMOS管Q3的源極和柵極之間設置有一個保護電阻R1,用于保護NMOS管Q3。
進一步,上述NMOS管Q4的源極和柵極之間設置有一個保護電阻R2,用于保護NMOS管Q4。
【實施例2】
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