[實用新型]等離子體氣相沉積裝置用背板及等離子體氣相沉積裝置

有效

• 申請號: 201320335763.2
• 申請日: 2013-06-09
• 公開（公告）號: CN203284463U
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 韓喬楠;羅陽;賀雄
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/505
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 趙丹

技術領域

本實用新型涉及化學氣相沉積領域，尤其涉及一種等離子體氣相沉積裝置用背板及等離子體氣相沉積裝置。

背景技術

液晶面板是一種采用液晶為材料的顯示器，液晶是介于固態和液態間的有機化合物，將其加熱會變成透明液態，冷卻后會變成結晶的混濁固態。在電場作用下，液晶分子會發生排列上的變化，從而影響通過其的光線變化，這種光線的變化通過偏光片的作用可以表現為明暗的變化，從而達到顯示圖像的目的。

用來控制電場的TFT(Thin-Film?Transistor：薄膜場效應晶體管)開關的性能是整個液晶面板最關鍵的技術參數之一，改善沉積薄膜的均勻性是提高TFT性能最主要的手段，也一直是液晶面板廠家所追求的目標。

目前在制作TFT開關沉積薄膜時大多采用PECVD(Plasma?Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition)技術，即等離子增強化學氣相沉積技術，等離子增強化學氣相沉積技術是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應。

圖1為現有技術中等離子增強化學氣相沉積技術使用的等離子體氣相沉積裝置的結構示意圖，其結構包括反應腔室8、所述反應腔室8中由上至下依次設有背板1、擴散器5和基座6，所述背板1連接有射頻電源(圖中未示出)，所述基座6接地。

現有技術的等離子體氣相沉積裝置工作過程如下：

首先將玻璃基板7放置在反應腔室8內的基座6上，然后反應氣體從背板1上的進氣孔2進入背板1與擴散器5之間的空間中，接著通過擴散器5擴散至反應腔室8內部，并在背板1與基座6之間提供的射頻功率的作用下通過化學反應生成等離子體，反應氣體在等離子體態反應，生成固體和新的氣體的反應，在玻璃基板7表面生成薄膜。

但是，由于現有等離子體氣相沉積裝置中使用的背板上只設有一個氣孔，因此反應氣體進入反應腔內部后無法保證其均勻擴散，這樣會導致越接近進氣孔的位置氣體流出量越多，越遠離進氣孔的位置氣體流出量越少，從而直接影響到在基板上成膜的均勻性。

實用新型內容

本實用新型的實施例提供一種等離子體氣相沉積裝置用背板及相應的等離子體氣相沉積裝置，使氣體可以均勻進入反應區域，從而改善沉積薄膜厚度的均勻性，提高TFT特性和產品的良率。

為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術方案：

一種等離子體氣相沉積裝置用背板，所述背板的一個表面設有進氣孔，所述背板的另一相對表面設有多個出氣孔，所述背板內部設有空腔，所述進氣孔和多個所述出氣孔均與所述空腔連通。

本實用新型與現有技術相比具有如下優點和效果：本實用新型背板內部設有空腔，背板表面設有多個與空腔連通的出氣孔，使反應氣體通過進氣孔進入空腔后再通過多個出氣孔噴灑到背板下部的擴散器，達到了氣體均勻進入反應區域的目的。從而改善了沉積薄膜厚度的均勻性，提高了TFT特性和產品的良率。

多個所述出氣孔布置于所述另一相對表面的整個區域，所述空腔覆蓋到所有所述出氣孔上。由此，使氣體在背板的整個下表面最大程度的擴散。

所述出氣孔均勻分布于所述另一相對表面。由此，使氣體擴散更加均勻。

所述出氣孔的截面形狀為圓形或多邊形。由此，提高了產品的多樣性，保證產品能夠適應各種不同的工作環境。

所述背板可以選擇不同的加工方式制作，例如：可以選擇由分體制作后組裝成型。由此，使得所述空腔的加工工藝更加簡單，降低加工成本。

所述背板也可以選擇采用一體成型的加工方式制作。由此，可以省去組裝背板的麻煩，而且不需要考慮組裝結構產生的密封問題。

本實用新型還提供了一種等離子體氣相沉積裝置，包括背板，所述背板為上述任一項技術方案中所述的背板。

本實用新型提供的等離子體氣相沉積裝置使用的背板內部設有空腔，背板的表面設有多個與空腔連通的出氣孔，使反應氣體通過進氣孔進入空腔后再通過多個出氣孔噴灑到背板下部的擴散器，使得反應氣體在到達擴散器之前已經預先進行了擴散，達到了使反應氣體能夠更加均勻地進入反應區域的目的。從而改善了沉積薄膜厚度的均勻性，提高了TFT特性和產品的良率。

附圖說明