[實用新型]基座系統(tǒng)以及化學機械研磨裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320335718.7 | 申請日： | 2013-06-09 |
| 公開（公告）號： | CN203325851U | 公開（公告）日： | 2013-12-04 |
| 發(fā)明（設計）人： | 葉維堅 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L21/683;B24B37/34 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 100176 北京市大興區(qū)*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基座 系統(tǒng) 以及 化學 機械 研磨 裝置 | ||
1.一種基座系統(tǒng)，包括基座內(nèi)腔、水路、氣路、水閥以及氣閥，其特征在于，所述水路以及氣路分別單獨連接所述基座內(nèi)腔，所述水閥設置于所述水路上，所述氣閥設置于所述氣路上。?
2.如權(quán)利要求1所述基座系統(tǒng)，其特征在于，所述基座系統(tǒng)還包括晶圓承載臺以及基座支架，所述基座支架支撐所述晶圓承載臺，所述基座內(nèi)腔位于所述晶圓承載臺的內(nèi)部以及至少部分所述基座支架的內(nèi)部。?
3.如權(quán)利要求2所述基座系統(tǒng)，其特征在于，所述基座內(nèi)腔位于所述晶圓承載臺的內(nèi)部以及所述基座支架與所述晶圓承載臺連接部分的內(nèi)部。?
4.如權(quán)利要求2-3中任意一項所述基座系統(tǒng)，其特征在于，所述基座系統(tǒng)還包括用于控制所述晶圓承載臺移動的裝卸單元，所述裝卸單元獨立設置于所述基座支架旁。?
5.如權(quán)利要求4所述基座系統(tǒng)，其特征在于，所述裝卸單元為一個基座圓筒。?
6.如權(quán)利要求2所述基座系統(tǒng)，其特征在于，所述晶圓承載臺遠離所述基座支架的一側(cè)具有若干通孔，所述通孔通至所述基座內(nèi)腔。?
7.一種化學機械研磨裝置，包括研磨頭以及如權(quán)利要求1-5中任意一項所述基座系統(tǒng)。?
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
