[實用新型]基于III族氮化物材料含多層背勢壘的器件結構有效
| 申請號： | 201320333858.0 | 申請日： | 2013-06-09 |
| 公開（公告）號： | CN203536443U | 公開（公告）日： | 2014-04-09 |
| 發明（設計）人： | 王元剛;馮志紅;敦少博;呂元杰;房玉龍;徐鵬 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產權事務所 13120 | 代理人： | 陸林生 |
| 地址： | 050051 *** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 iii 氮化物 材料 多層 背勢壘 器件 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于III族氮化物材料含多層背勢壘的器件結構，其特征在于自下而上包括襯底層（1）、背勢壘結構層和溝道層（4）；所述背勢壘結構層由兩層及以上不同Al組份的AlxGaN背勢壘組成，其中0＜x＜1。
2.根據權利要求1所述的基于III族氮化物材料含多層背勢壘的器件結構，其特征在于所述背勢壘結構層中的Al組份沿溝道層（4）到襯底層（1）方向遞增，但同一背勢壘中Al組份不變。
3.根據權利要求2所述的基于III族氮化物材料含多層背勢壘的器件結構，其特征在于所述背勢壘結構層的Al組份從溝道層（4）到襯底層（1）為線性增加或者非線性增加。
4.根據權利要求1、2或3所述的基于III族氮化物材料含多層背勢壘的器件結構，其特征在于所述背勢壘結構層中各背勢壘的厚度相等。
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