[實用新型]跨線結構及電子裝置

有效

• 申請號: 201320331217.1
• 申請日: 2013-06-08
• 公開（公告）號: CN203324947U
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 唐根初;劉偉;唐彬;董繩財
• 申請（專利權）人: 深圳歐菲光科技股份有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種跨線結構，其特征在于，包括第一導線、絕緣層及第二導線；

其中，所述第一導線沿第一方向延伸，所述第二導線沿第二方向延伸，所述絕緣層設在所述第一導線及所述第二導線之間；

所述絕緣層包括相對的第一表面及第二表面，所述第一表面上開設有第一凹槽，所述第一凹槽沿第一方向延伸并貫穿所述絕緣層，所述絕緣層通過所述第一凹槽卡設于所述第一導線上；

所述第二導線靠近所述絕緣層第二表面的一側上開設有第二凹槽，所述第二凹槽沿第一方向延伸并貫穿所述第二導線，所述第二導線通過所述第二凹槽卡設于所述絕緣層第二表面上。

2.根據權利要求1所述的跨線結構，其特征在于，所述絕緣層沿第一方向的寬度小于所述第一導線沿第一方向的寬度，所述絕緣層沿第二方向的寬度大于所述第一導線沿第二方向的寬度；所述第二導線沿第一方向的寬度小于所述絕緣層沿第一方向的寬度，所述第二導線沿第二方向的寬度大于所述絕緣層沿第二方向的寬度。

3.根據權利要求1所述的跨線結構，其特征在于，所述第一凹槽沿第三方向的高度與所述第一導線沿第三方向的高度相同，所述第二凹槽沿第三方向的高度與所述絕緣層沿第三方向的高度相同，所述第一凹槽沿第二方向的寬度與所述第一導線沿第二方向的寬度相同，所述第二凹槽沿第二方向的寬度與所述絕緣層沿第二方向的寬度相同。

4.根據權利要求1所述的跨線結構，其特征在于，所述絕緣層第一凹槽的槽底與所述絕緣層第二表面之間的距離為0.5μm～3μm。

5.根據權利要求4所述的跨線結構，其特征在于，所述第一導線沿第三方向的高度為10nm～20μm，所述第二凹槽的槽底與所述第二導線遠離所述絕緣層的一側之間的距離為10nm～20μm。

6.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置使用如權利要求1-5中任一項所述的跨線結構。