[實用新型]一種LED薄膜芯片的半導體基板有效
| 申請號： | 201320330460.1 | 申請日： | 2013-06-08 |
| 公開（公告）號： | CN203300704U | 公開（公告）日： | 2013-11-20 |
| 發明（設計）人： | 王光緒;劉軍林;江風益 | 申請（專利權）人： | 南昌黃綠照明有限公司;南昌大學 |
| 主分類號： | H01L33/62 | 分類號： | H01L33/62;H01L33/22 |
| 代理公司： | 江西省專利事務所 36100 | 代理人： | 張文 |
| 地址： | 330047 江西*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 led 薄膜 芯片 半導體 | ||
【權利要求書】：
1.一種LED薄膜芯片的半導體基板，包括半導體基板本體，其特征在于：在半導體基板本體的上表面加工有經過表面粗糙化處理形成凹凸狀的上粗糙層，上粗糙層與鍵合金屬進行結合，在半導體基板本體的下表面加工有經過表面粗糙化處理形成凹凸狀的下粗糙層，下粗糙層與接觸金屬進行結合。
2.根據權利要求1所述的LED薄膜芯片的半導體基板，其特征在于：半導體基板本體的厚度為100um～1000um，上粗糙層的厚度≥0.3um，所述下粗糙層的厚度≥0.3um。
3.根據權利要求2所述的LED薄膜芯片的半導體基板，其特征在于：上粗糙層和下粗糙層的厚度的范圍均為0.3um～?2?um。
4.根據權利要求3所述的LED薄膜芯片的半導體基板，其特征在于：半導體基板本體的材料為單晶硅、單晶鍺、砷化鎵或磷化鎵中的一種。
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