[實用新型]LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置

有效

• 申請號: 201320328616.2
• 申請日: 2013-06-06
• 公開（公告）號: CN203387470U
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發明（設計）人: 吳志堅;李成恩
• 申請（專利權）人: 三維通信股份有限公司
• 主分類號: H03F1/30
• 分類號: H03F1/30;H03F3/20
• 代理公司: 杭州九洲專利事務所有限公司 33101
• 代理人: 陳繼亮

1.一種LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置，主要包括微控制器MCU、電源模塊、限流電阻R0、三極管T1、T2、分壓電阻R、NTC電阻R3和LDMOS功率放大器，其特征是：電源模塊通過限流電阻R0和三極管T1、T2，與分壓電阻R和NTC電阻R3相連，再一起與LDMOS功率放大器的管腳1連通，LDMOS功率放大器的管腳2接地，管腳3為射頻輸出端，電源模塊與微控制器MCU連通。

2.根據權利要求1所述的LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置，其特征是：所述限流電阻R0和三極管T1、T2的基級之間連接有分壓電阻R1、R2。

3.根據權利要求1或2所述的LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置，其特征是：所述三極管T1、T2的發射極接地。

4.根據權利要求1所述的LDMOS功率放大器溫度效應抑制的電路裝置，其特征是：所述LDMOS功率放大器的管腳1為射頻信號輸入端，射頻信號通過電容C從LDMOS功率放大器的管腳1輸入。