[實用新型]一種循環增強型氧化槽

有效

• 申請號: 201320326279.3
• 申請日: 2013-06-07
• 公開（公告）號: CN203291840U
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 范祥榮
• 申請（專利權）人: 蘇州市金翔鈦設備有限公司
• 主分類號: B01J19/00
• 分類號: B01J19/00
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

1.?一種循環增強型氧化槽，包括上端開口的中空筒體和垂直設于所述筒體內的兩端開口的導流筒，所述筒體和導流筒間留有間隙，所述間隙中填充填料，所述導流筒中還設置有曝氣裝置，其特征在于：所述曝氣裝置包括壓縮空氣管和與所述壓縮空氣管相連通的曝氣頭，所述曝氣裝置還包括至少兩個沿垂直方向分布的盤狀支架，所述盤狀支架上設置若干所述曝氣頭；所述導流筒筒壁上設有沿周向分布的導流孔，至少兩個所述導流孔間通過一導流槽連通。

2.?根據權利要求1所述的一種循環增強型氧化槽，其特征在于：所述曝氣裝置包括兩個沿垂直方向分布的盤狀支架，設置在所述盤狀支架上的曝氣頭環形分布。

3.?根據權利要求2所述的一種循環增強型氧化槽，其特征在于：所述兩個盤狀支架上設有相同數量的所述曝氣頭，兩個盤狀支架上的對應曝氣頭周向錯位分布。

4.?根據權利要求2或3所述的一種循環增強型氧化槽，其特征在于：所述盤狀支架上的曝氣頭分布呈圓環狀，一個所述盤狀支架上曝氣頭分布形成的所述圓環與另一個所述盤狀支架上曝氣頭分布形成的圓環半徑相等。

5.?根據權利要求2或3所述的一種循環增強型氧化槽，其特征在于：所述的一個盤狀支架在筒體中的設置高度為筒體本身高度的2/5，另一個盤狀支架在筒體中的設置高度為筒體本身高度的3/5。

6.?根據權利要求2或3所述的一種循環增強型氧化槽，其特征在于：所述的兩個盤狀支架中，每個盤狀支架的中部設有一個所述曝氣頭，外周環形設置有六個所述曝氣頭。