[實(shí)用新型]電路基板和離子發(fā)生裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320322504.6 | 申請日: | 2013-06-05 |
| 公開(公告)號: | CN203399411U | 公開(公告)日: | 2014-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 伊達(dá)和治;永留誠一 | 申請(專利權(quán))人: | 夏普株式會(huì)社 |
| 主分類號: | H05K1/18 | 分類號: | H05K1/18;H01T23/00 |
| 代理公司: | 北京市隆安律師事務(wù)所 11323 | 代理人: | 權(quán)鮮枝 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 路基 離子 發(fā)生 裝置 | ||
1.一種電路基板,其具備:
具有主表面的基板;以及
陶瓷電容器,其是大致長方體形狀,設(shè)于上述主表面上,
上述基板包含安裝有上述陶瓷電容器的安裝區(qū)域,
上述陶瓷電容器包含:第1側(cè)面和第2側(cè)面,其在上述陶瓷電容器的寬度方向相對;以及第3側(cè)面和第4側(cè)面,其在上述陶瓷電容器的長度方向相對,
上述安裝區(qū)域的外周緣部包含:第3邊部,其沿著上述第3側(cè)面延伸;第1邊部,其從上述第3邊部的第1端沿著上述第1側(cè)面延伸;以及第2邊部,其從上述第3邊部的第2端沿著上述第2側(cè)面延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路基板,上述第1邊部和上述第2邊部比上述陶瓷電容器的長度方向的長度長。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路基板,
上述基板包含基板主體區(qū)域,
上述安裝區(qū)域以從上述基板主體區(qū)域的外周緣部突出的方式形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路基板,
上述基板包含基板主體區(qū)域,
上述安裝區(qū)域以從上述基板主體區(qū)域的外周緣部突出的方式形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路基板,
上述基板包含基板主體區(qū)域,
上述安裝區(qū)域被上述基板主體區(qū)域包圍,
在上述基板形成有:第1縫隙,其沿著上述第1側(cè)面延伸;第2縫隙,其沿著上述第2側(cè)面延伸;以及第3縫隙,其沿著上述第3側(cè)面延伸,并且將上述第1縫隙和上述第2縫隙連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路基板,
上述第3邊部位于上述基板的外周緣部,
上述第1邊部由從上述基板的外周緣部延伸的第1縫隙形成,
上述第2邊部由從上述基板的外周緣部延伸的第2縫隙形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路基板,
上述第1邊部和上述第3邊部位于上述基板的外周緣部,
上述第2邊部由從上述基板的外周緣部延伸的第2縫隙形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路基板,
上述第2邊部位于上述基板的外周緣部,
在上述基板形成有:第3縫隙,其從上述基板的外周緣部沿著上述第3側(cè)面延伸;以及第1縫隙,其連接到上述第3縫隙,沿著上述第1側(cè)面延伸,
上述第3邊部由上述第3縫隙形成,上述第1邊部由上述第1縫隙形成。
9.一種電路基板,其具備:
具有主表面的基板;以及
陶瓷電容器,其是大致長方體形狀,設(shè)于上述主表面上,
上述基板包含安裝有上述陶瓷電容器的安裝區(qū)域,
上述陶瓷電容器包含:第1側(cè)面和第2側(cè)面,其在上述陶瓷電容器的寬度方向相對;以及第3側(cè)面和第4側(cè)面,其在上述陶瓷電容器的長度方向相對,
上述安裝區(qū)域的外周緣部包含:第1邊部,其沿著上述第1側(cè)面延伸;第3邊部,其連接到上述第1邊部,沿著上述第3側(cè)面延伸;第4邊部,其連接到上述第1邊部,沿著上述第4側(cè)面延伸;第1伸出邊部,其沿著上述第2側(cè)面延伸,并且從上述第3邊部的端部朝向上述第4邊部延伸;以及第2伸出邊部,其沿著上述第2側(cè)面延伸,并且從上述第4邊部的端部朝向上述第3邊部延伸。
10.一種電路基板,其具備:
具有主表面的基板;以及
陶瓷電容器,其是大致長方體形狀,設(shè)于上述主表面上,
上述基板包含安裝有上述陶瓷電容器的安裝區(qū)域,
上述陶瓷電容器包含:第1側(cè)面和第2側(cè)面,其在上述陶瓷電容器的寬度方向相對;以及第3側(cè)面和第4側(cè)面,其在上述陶瓷電容器的長度方向相對,
上述安裝區(qū)域的外周緣部包含:第3邊部,其沿著上述第3側(cè)面延伸;第4邊部,其沿著上述第4側(cè)面延伸;第3伸出邊部,其沿著上述第1側(cè)面延伸,并且從上述第3邊部的端部朝向上述第4邊部延伸;第4伸出邊部,其沿著上述第2側(cè)面延伸,并且從上述第3邊部的端部朝向上述第4邊部延伸;第5伸出邊部,其沿著上述第1側(cè)面延伸,并且從上述第4邊部的端部朝向上述第3邊部伸出;以及第6伸出邊部,其沿著上述第2側(cè)面延伸,并且從上述第4邊部的端部朝向上述第3邊部伸出。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于夏普株式會(huì)社,未經(jīng)夏普株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201320322504.6/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 離子發(fā)生器件、離子發(fā)生單元和離子發(fā)生裝置
- 離子發(fā)生元件、離子發(fā)生單元及離子發(fā)生裝置
- 過熱蒸汽發(fā)生容器、過熱蒸汽發(fā)生裝置以及發(fā)生方法
- 吸收-發(fā)生-再發(fā)生體系與分段發(fā)生吸收式機(jī)組
- 泡沫發(fā)生裝置和泡沫發(fā)生方法
- 離子發(fā)生元件、離子發(fā)生單元及離子發(fā)生裝置
- 臭氧發(fā)生管內(nèi)電極體、臭氧發(fā)生管及臭氧發(fā)生器
- 信號發(fā)生裝置及信號發(fā)生方法
- 微米·納米氣泡發(fā)生方法,發(fā)生噴嘴,與發(fā)生裝置
- 壓力發(fā)生裝置及發(fā)生方法





