[實用新型]高導熱熒光絕緣LED封裝結構有效
| 申請號： | 201320317924.5 | 申請日： | 2013-06-04 |
| 公開（公告）號： | CN203339213U | 公開（公告）日： | 2013-12-11 |
| 發明（設計）人： | 高鞠 | 申請（專利權）人： | 蘇州晶品光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/64;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 湯東鳳 |
| 地址： | 215211 江蘇省蘇州市吳江區汾*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 導熱 熒光 絕緣 led 封裝 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種高導熱熒光絕緣LED封裝結構，其特征在于：包括依次在金屬基體形成的熒光絕緣層、金屬電路層、LED芯片和涂覆在LED芯片表面的熒光粉層，其中所述金屬電路層和所述LED芯片為電性連接。
2.根據權利要求1所述的高導熱熒光絕緣LED封裝結構，其特征在于：所述LED芯片與金屬電路層通過焊接形成電性連接。
3.根據權利要求1所述的高導熱熒光絕緣LED封裝結構，其特征在于：所述LED芯片與金屬電路層通過導線形成電性連接。
4.根據權利要求1-3任一項所述的高導熱熒光絕緣LED封裝結構，其特征在于：所述金屬基體與熒光絕緣層之間還具有金屬膜層。
5.根據權利要求1-3任一項所述的高導熱熒光絕緣LED封裝結構，其特征在于：所述熒光絕緣層的厚度為10-500?μm。
6.根據權利要求1-3任一項所述的高導熱熒光絕緣LED封裝結構，其特征在于：所述金屬膜層的厚度為10-500?nm。
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