[實用新型]一種半導體溫差發電裝置有效
| 申請號: | 201320316515.3 | 申請日: | 2013-06-03 |
| 公開(公告)號: | CN203278705U | 公開(公告)日: | 2013-11-06 |
| 發明(設計)人: | 李壇靈;任剛;易永光 | 申請(專利權)人: | 廣新海事重工股份有限公司 |
| 主分類號: | H02N11/00 | 分類號: | H02N11/00 |
| 代理公司: | 中山市漢通知識產權代理事務所(普通合伙) 44255 | 代理人: | 田子榮 |
| 地址: | 528437 廣東省中山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 溫差 發電 裝置 | ||
1.一種半導體溫差發電裝置,它包括供高溫流體通過的第一通道和供低溫流體通過的第二通道,其特征在于:所述第一通道包括第一主通道以及第一主通道于高溫流體行程上分散形成的若干第一子通道,第一子通道經過第二通道內部,第二通道內于第一子通道外壁設有半導體溫差發電模塊。
2.根據權利要求1所述的一種半導體溫差發電裝置,其特征在于:所述半導體溫差發電模塊與第一子通道緊密接觸。
3.根據權利要求1所述的一種半導體溫差發電裝置,其特征在于:所述第一子通道內高溫流體的流動方向與第二通道內低溫流體的流動方向相反。
4.根據權利要求1所述的一種半導體溫差發電裝置,其特征在于:所述第二通道內部于低溫流體行程上還設置有若干折流板,折流板上開設有若干供第一子通道穿過的第一通孔。
5.根據權利要求1至4之一所述的一種半導體溫差發電裝置,其特征在于:它包括:
一殼體,殼體兩端分別設有一高溫流體入口和一高溫流體出口;
兩隔板,位于殼體內部,各隔板分別分隔殼體一端,兩隔板對應處開設有用于埋設第一子通道的第二通孔,第一子通道設置在兩隔板相應的第二通孔之間;
一低溫流體入口,位于兩隔板之間,開口靠近殼體內的一側的隔板;
一低溫流體出口,位于兩隔板之間,開口靠近殼體內的另一側的隔板;
所述高溫流體入口和高溫流體出口分別與其臨近的隔板之間形成第一主通道,高溫流體從殼體一端的第一主通道通過第一子通道流至殼體另一端的第一主通道,形成第一通道;低溫流體從殼體內一側隔板的低溫流體入口流至殼體內另一側隔板的低溫流體出口,形成第二通道。
6.根據權利要求5所述的一種半導體溫差發電裝置,其特征在于:所述第一子通道的截面外輪廓為圓形。
7.根據權利要求6所述的一種半導體溫差發電裝置,其特征在于:所述各第一子通道之間的間距不小于第一子通道外徑的1.25倍。
8.根據權利要求1至4之一所述所述的一種半導體溫差發電裝置,其特征在于:所述第一通道內的高溫流體為高溫煙氣,第二通道內的低溫流體為冷卻水。
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