[實(shí)用新型]母排聯(lián)接式高性能IGBT模塊

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320316348.2
• 申請(qǐng)日: 2013-05-31
• 公開（公告）號(hào): CN203277379U
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顏家圣;陳崇林;邢雁;孫亞男;王維
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/07
• 分類號(hào): H01L25/07;H01L23/48
• 代理公司: 襄陽(yáng)嘉琛知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 42217
• 代理人: 嚴(yán)崇姚

1.一種母排聯(lián)接式高性能IGBT模塊，包括外殼（13）、底板（6）、DBC板（5）、電極（1）、半導(dǎo)體芯片（4）、柵極引線（7），電極1固定在DBC板（5）上，DBC板（5）固定在底板（6），半導(dǎo)體芯片焊接在DBC板（5）上，其特征在于：所述的半導(dǎo)體芯片、DBC板（5）、電極（1）相互間是通過母排（2）聯(lián)接的。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的母排聯(lián)接式高性能IGBT模塊，其特征是：所述的半導(dǎo)體芯片（4）與母排（2）之間還焊接有鉬片（3）。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的母排聯(lián)接式高性能IGBT模塊，其特征是：所述的半導(dǎo)體芯片（4）是IGBT芯片、整流管芯片、晶閘管芯片或其它半導(dǎo)體芯片。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的母排聯(lián)接式高性能IGBT模塊及其制作方法，其特征是：所述的母排（2）材料是銅或銅合金。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的母排聯(lián)接式高性能IGBT模塊及其制作方法，其特征是：所述的外殼（13）內(nèi)灌注硅凝膠。