[實(shí)用新型]一種氣體放電天線開關(guān)管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320315944.9 | 申請日: | 2013-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN203445091U | 公開(公告)日: | 2014-02-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃剛 | 申請(專利權(quán))人: | 成都國光電氣股份有限公司 |
| 主分類號: | H01J7/40 | 分類號: | H01J7/40 |
| 代理公司: | 成都蓉信三星專利事務(wù)所(普通合伙) 51106 | 代理人: | 王興雯;謝天府 |
| 地址: | 610100 四川省成都市經(jīng)*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氣體 放電 天線 開關(guān) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種微波電真空器件,具體地講是一種氣體放電天線開關(guān)管。?
背景技術(shù)
氣體放電天線開關(guān)管是一種微波電真空器件,主要應(yīng)用在大功率微波信號系統(tǒng)的天線開關(guān)中,是天線開關(guān)的重要組成部分,并且決定了天線開關(guān)的主要性能,廣泛應(yīng)用于軍事和民用領(lǐng)域。在氣體放電天線開關(guān)管中,為了保證高頻脈沖到來時(shí)迅速而可靠的著火,縮短引燃時(shí)間,一般采用電子源對氣體進(jìn)行預(yù)電離,為此,一般常規(guī)做法是在氣體放電天線開關(guān)管內(nèi)調(diào)諧錐體旁的設(shè)置放射性同位素源或者插入一塊氚靶片,如圖1、圖2所示。但是,采用此種放電隙結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)會破壞氣體放電天線開關(guān)管內(nèi)的電磁場場強(qiáng)的均勻分布,往往存在吸收點(diǎn),進(jìn)而影響氣體放電天線開關(guān)管的頻帶帶寬。?
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型針對上述技術(shù)問題,提供了一種氣體放電天線開關(guān)管放電隙結(jié)構(gòu),采用該結(jié)構(gòu)的氣體放電天線開關(guān)管的波導(dǎo)內(nèi)的場強(qiáng)的分布更趨均勻,具有更寬的頻帶帶寬。?
實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:一種氣體放電天線開關(guān)管,包括調(diào)諧錐體、電子源,所述電子源位于調(diào)諧錐體上。?
所述電子源最好位于調(diào)諧錐體的尖端部分。?
所述電子源可以是鈷60。?
所述的電子源也可以是鎳63,所述鎳63是在調(diào)諧錐體的表面涂覆鎳63,尤其是在調(diào)諧錐體的尖端表面涂覆鎳63。?
所述電子源還可以是氚靶。?
所述氚靶可以是在調(diào)諧錐體的表面吸附氚。?
所述氚靶還可以是調(diào)諧錐體尖端表面吸附氚。?
所述氚靶也可以是在調(diào)諧錐體的部分尖端表面吸附氚。?
本實(shí)用新型的有益效果是:采用本實(shí)用新型的技術(shù)方案后與原有的設(shè)計(jì)相比,由于電子源位于調(diào)諧錐體上,特別是在尖端部分,氣體放電天線開關(guān)管的波導(dǎo)內(nèi)的場強(qiáng)的分布更趨均勻,為所述氣體放電天線開關(guān)管具有更寬的頻帶帶寬打下了基礎(chǔ);同時(shí)減少了插件。?
附圖說明
圖1是現(xiàn)有的一種氣體放電開關(guān)管放電隙結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖2是現(xiàn)有的另一種氣體放電開關(guān)管放電隙結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3本實(shí)用新型氣體放電開關(guān)管放電隙結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4是調(diào)諧錐體的尖端部分中充有氯化鈷溶液的氣體放電開關(guān)管放電隙結(jié)構(gòu)圖;
圖5是調(diào)諧錐體的尖端部分是鎳63(Ni63)的氣體放電開關(guān)管放電隙結(jié)構(gòu)圖;
圖6是調(diào)諧錐體的尖端部分是氚靶的氣體放電開關(guān)管放電隙結(jié)構(gòu)圖。
圖中:1、氣體放電開關(guān)管,2、氚靶,3、調(diào)諧錐體,4、氯化鈷溶液,5、電子源,6、鎳63(Ni63)。?
具體實(shí)施方式
實(shí)施例一?
如圖3、圖4所示,本實(shí)施例中的氣體放電天線開關(guān)管1,電子源5是鈷60(?),所述鈷60()配制成氯化鈷溶液4,所述氯化鈷溶液4位于調(diào)諧錐體3尖端的腔體中。
??實(shí)施例二?
如圖3、圖5所示,本實(shí)施例中的氣體放電天線開關(guān)管1,所述氣體放電開關(guān)管1的電子源5是鎳63(Ni63),所述鎳63(Ni63)是在調(diào)諧錐體3的表面,尤其是調(diào)諧錐體3的尖端表面涂覆鎳63(Ni63)。
??????實(shí)施例三?
如圖3、圖6所示,本實(shí)施例中的氣體放電天線開關(guān)管1,所述氣體放電開關(guān)管1的電子源5是氚靶2,所述氚靶2是在調(diào)諧錐體3的表面,尤其是調(diào)諧錐體3的尖端表面吸附氚。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于成都國光電氣股份有限公司,未經(jīng)成都國光電氣股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201320315944.9/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:芯片傳輸保護(hù)裝置
- 下一篇:一種凹印版輥的制備工藝





