[實用新型]生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的摻雜GaN薄膜

有效

• 申請號: 201320312782.3
• 申請日: 2013-05-31
• 公開（公告）號: CN203339209U
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 李國強;王文樑;楊為家;劉作蓮;林云昊
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/18;H01L31/0304
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 陳文姬

1.生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的摻雜GaN薄膜，其特征在于，包括生長在La_0.3Sr_1.7AlTaO₆襯底上的GaN緩沖層，生長在GaN緩沖層上的非摻雜GaN層，生長在非摻雜GaN層上的摻雜GaN薄膜，所述摻雜GaN薄膜為n型摻雜GaN薄膜或p型摻雜GaN薄膜。

2.根據權利要求1所述的生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的摻雜GaN薄膜，其特征在于，所述La_0.3Sr_1.7AlTaO₆襯底以(111)面偏(100)方向0.5～1°為外延面。

3.根據權利要求1所述的生長在鋁酸鍶鉭鑭襯底上的摻雜GaN薄膜，其特征在于，所述GaN緩沖層的厚度為50～80nm；所述非摻雜GaN層的厚度為200～300nm；所述n型摻雜GaN薄膜的厚度為0.1～5μm；所述p型摻雜GaN薄膜的厚度為0.1～5μm。