[實(shí)用新型]一種新型擴(kuò)散用石英舟有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320310293.4 | 申請(qǐng)日: | 2013-05-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203325859U | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-12-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陸俊宇;王志剛;易輝;汪燕玲;連維飛;魏青竹 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中利騰暉光伏科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/673 | 分類號(hào): | H01L21/673;H01L31/18 |
| 代理公司: | 蘇州華博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32232 | 代理人: | 黃珩 |
| 地址: | 215542 江蘇省蘇州*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 新型 擴(kuò)散 石英 | ||
1.一種新型擴(kuò)散用石英舟,用于放置硅片,其特征在于,包括舟體,所述舟體上設(shè)置有至少三個(gè)用于放置硅片的卡槽,所述某一卡槽與相鄰卡槽之間的間距分別為L(zhǎng)1和L2,其中L1>L2或L1<L2,并且所有卡槽之間的間距按照L1、L2、L1、L2依次間隔排列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型擴(kuò)散用石英舟,其特征在于,所述L2為L(zhǎng)1的1/2-1/7倍,或所述L1為L(zhǎng)2的1/2-1/7倍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型擴(kuò)散用石英舟,其特征在于,?所述硅片在插入卡槽時(shí),所述硅片的正面朝向L1和L2之中大的一方,硅片的背面朝向L1和L2中小的一方。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的新型擴(kuò)散用石英舟,其特征在于,所述L1和L2的取值范圍為0.5mm-5mm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





