[實用新型]透明導電膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320307306.2
• 申請日: 2013-05-30
• 公開（公告）號: CN203276885U
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發(fā)明（設計）人: 張晟;弋天寶;司倩倩;楊云良
• 申請（專利權）人: 南昌歐菲光科技有限公司;蘇州歐菲光科技有限公司;深圳歐菲光科技股份有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;G06F3/041
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種透明導電膜，其特征在于，包括：

基底，包括第一表面和與第一表面相對設置的第二表面；

第一網(wǎng)格凹槽，開設于所述第一表面；

第一增黏層，設置于所述第一網(wǎng)格凹槽；

第一導電層，包括由填充于所述第一網(wǎng)格凹槽的導電材料所形成的第一導電網(wǎng)格，所述第一增黏層位于所述第一網(wǎng)格凹槽和所述第一導電層之間。

2.根據(jù)權利要求1所述的透明導電膜，其特征在于，所述第一網(wǎng)格凹槽底部為非平面結構，所述非平面結構的形狀包括至少一個V形和/或至少一個圓弧形。

3.根據(jù)權利要求2所述的透明導電膜，其特征在于，所述第一增黏層和所述第一網(wǎng)格凹槽底部的非平面結構互為相似圖形。

4.根據(jù)權利要求1所述的透明導電膜，其特征在于，所述第一導電層表面覆設有第一抗氧化層。

5.根據(jù)權利要求4所述的透明導電膜，其特征在于，所述基底包括基底本體和第一聚合物層，所述第一表面位于所述第一聚合物層遠離所述基底本體的一側。

6.根據(jù)權利要求1至5中任意一項所述的透明導電膜，其特征在于，還包括第一電極引線，所述第一電極引線設置于所述第一表面邊緣，連接于所述第一導電層。

7.根據(jù)權利要求1所述的透明導電膜，其特征在于，還包括第二網(wǎng)格凹槽、第二導電層和第二增黏層，所述第二網(wǎng)格凹槽開設于所述第二表面，所述第二導電層包括由填充于所述第二網(wǎng)格凹槽的導電材料所形成的第二導電網(wǎng)格，所述第二增黏層位于所述第二網(wǎng)格凹槽和所述第二導電層之間。

8.根據(jù)權利要求7所述的透明導電膜，其特征在于，所述基底包括基底本體和第二聚合物層，所述第二表面位于所述第二聚合物層遠離基底本體一側。

9.根據(jù)權利要求5所述的透明導電膜，其特征在于，還包括第二聚合物層、第二網(wǎng)格凹槽、第二導電層和第二增黏層，所述第二聚合物層覆設于所述第一聚合物層遠離所述基底的一側，所述第二聚合物層遠離所述基底的一側開設有第二網(wǎng)格凹槽，所述第二導電層包括由填充于第二網(wǎng)格凹槽的導電材料所形成的第二導電網(wǎng)格，所述第二增黏層位于所述第二網(wǎng)格凹槽和所述第二導電層之間。

10.根據(jù)權利要求8或9所述的透明導電膜，其特征在于，所述第二網(wǎng)格凹槽底部為非平面結構，所述非平面結構的形狀包括至少一個V形和/或至少一個圓弧形。

11.根據(jù)權利要求10所述的透明導電膜，其特征在于，所述第一網(wǎng)格凹槽寬度為d1，深度為h1，其中0.2μm≤d1≤5μm，2μm≤h1≤6μm，h1/d1＞1，所述第二網(wǎng)格凹槽寬度為d2，深度為h2，其中0.2μm≤d2≤5μm，2μm≤h2≤6μm，h2/d2＞1。

12.根據(jù)權利要求9所述的透明導電膜，其特征在于，所述第二導電層的表面覆設有第二抗氧化層。

13.根據(jù)權利要求12所述的透明導電膜，其特征在于，所述第一抗氧化層和所述第一增黏層的厚度為300nm～800nm，所述第二抗氧化層和所述第二增黏層的厚度為300nm～800nm。

14.根據(jù)權利要求8或9所述的透明導電膜，其特征在于，所述第二增黏層和所述第二網(wǎng)格凹槽底部的非平面結構互為相似圖形。

15.根據(jù)權利要求8或9所述的透明導電膜，其特征在于，還包括第二電極引線，所述第二電極引線與所述第二導電層連接，且在所述基底的投影位于所述基底的邊緣。