[實用新型]一種具有微結構增透膜的高壓LED芯片

有效

• 申請號: 201320305975.6
• 申請日: 2013-05-30
• 公開（公告）號: CN203288594U
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 王洪;鐘炯生;黃華茂;吳躍鋒
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/44
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 何淑珍

1.一種具有微結構增透膜的高壓LED芯片，包括多個發光單元，每個發光單元從下至上依次包括寶石襯底(1)、緩沖層(2)、N型層(3)、量子阱層(4)、P型層(5)和ITO層(6)，每個發光單元還包括P型層上的電極(7)和N型層上的電極(8)，相鄰發光單元之間的電極通過連接橋(9)連接，其特征在于每個發光單元還包括覆蓋在ITO層上的增透膜(10)，位于ITO層(6)上方的增透膜頂面具有圓柱狀微結構。

2.根據權利要求1所述的一種具有微結構增透膜的高壓LED芯片，其特征在于所述增透膜采用SiON材料。

3.根據權利要求1所述的一種具有微結構增透膜的高壓LED芯片，其特征在于所述增透膜厚度為LED發光波長的四分之一。

4.根據權利要求3所述的一種具有微結構增透膜的高壓LED芯片，其特征在于所述微結構的厚度為增透膜厚度的1/10。

5.根據權利要求1所述的一種具有微結構增透膜的高壓LED芯片，其特征在于所述增透膜除覆蓋ITO層上方外，還覆蓋ITO層上表面至N型層上的電極(8)之間的側面，且只有ITO層上方的增透膜具有圓柱狀微結構。

6.根據權利要求1所述的一種具有微結構增透膜的高壓LED芯片，其特征在于所述增透覆蓋芯片的ITO層整個外表面。

7.根據權利要求1所述的一種具有微結構增透膜的高壓LED芯片，其特征在于所述的圓柱狀微結構的圓柱底面半徑為1.5um，高為100埃。

8.根據權利要求1所述的一種具有微結構增透膜的高壓LED芯片，其特征在于所述圓柱狀微結構的相鄰圓柱底面圓心距離為4um~6um。