[實用新型]用于太赫茲肖特基二極管的多孔襯底有效
| 申請號： | 201320305245.6 | 申請日： | 2013-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN203300652U | 公開（公告）日： | 2013-11-20 |
| 發明（設計）人： | 王俊龍;馮志紅;邢東;梁士雄;張立森;楊大寶;張雄文;宋旭波;何澤召;蔚翠 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產權事務所 13120 | 代理人： | 陸林生 |
| 地址： | 050051 *** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 赫茲 肖特基 二極管 多孔 襯底 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于太赫茲肖特基二極管的多孔襯底，其特征在于包括半絕緣襯底（1），在所述半絕緣襯底（1）的背面設有兩個以上的空氣孔（2），所述空氣孔（2）的深度小于半絕緣襯底（1）的厚度。
2.根據權利要求1所述的用于太赫茲肖特基二極管的多孔襯底，其特征在于所述空氣孔（2）的深度大于半絕緣襯底（1）厚度的三分之一。
3.根據權利要求1或2所述的用于太赫茲肖特基二極管的多孔襯底，其特征在于所述半絕緣襯底（1）的厚度為10微米到100微米。
4.根據權利要求1或2所述的用于太赫茲肖特基二極管的多孔襯底，其特征在于所述空氣孔（2）的截面面積占半絕緣襯底（1）截面面積的40%-70%。
5.根據權利要求1或2所述的用于太赫茲肖特基二極管的多孔襯底，其特征在于所述空氣孔（2）的形狀為矩形、圓形、橢圓形。
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