[實用新型]一種彩膜基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201320302904.0
• 申請日: 2013-05-29
• 公開（公告）號: CN203299490U
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 張千;黃東升;劉英;龐魯;王羽佳
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1335
• 分類號: G02F1/1335;G02F1/1343
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理事務所(普通合伙) 11270
• 代理人: 張穎玲;孟桂超

技術領域

本實用新型涉及顯示技術領域，尤其涉及一種彩膜(Color?Filter，CF)基板及顯示裝置。

背景技術

在液晶顯示裝置中，廣泛地使用CF基板來實現彩色圖像的顯示、反射率的降低、對比度的調整、以及光譜特征的控制等目的。目前在薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，TFT-LCD)行業中，根據CF基板內側(即靠近液晶層的一側)是否覆蓋有透明導電層可以將CF基板分為兩類，一類CF基板內側整體覆蓋有透明導電層，另一類CF基板內無透明導電層。前一類CF基板內的透明導電層作為驅動液晶(Liquid?Crystal，LC)分子偏轉的公共電極，主要用于扭曲向列(Twisted?Nematic，TN)型、垂直配向(Vertical?Alignment，VA)型等盒間電場驅動模式的TFT-LCD產品；后一類主要用于共平面切換(In-Plane?Switching，IPS)型、高級超維場轉換(Advanced?super?Dimension?Switch，ADS)型等TFT面內電場驅動模式的TFT-LCD產品。

其中，ADS型通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉換技術可以提高TFT-LCD產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(Push?Mura)等優點。

現有的TFT-LCD產品存在兩種無法修復的不良現象：第一種是由于陣列基板和CF基板對位偏移超標，導致著色像素邊緣漏光；第二種由于封框膠污染、LC受熱變性、以及陣列基板上的透明導電層圖案(Pattern)偏移等多種因素影響，導致著色像素邊緣液晶分子反應延遲，引起畫面切換時產生殘影不良。上述兩種不良一旦在量產中出現，損失往往較大，并且無法修復。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型的主要目的在于提供一種CF基板及顯示裝置，能夠有效避免著色像素邊緣的漏光和殘影不良。

為達到上述目的，本實用新型的技術方案是這樣實現的：

本實用新型提供了一種CF基板，所述CF基板包括襯底基板，所述襯底基板上設置有黑色矩陣和著色像素；在所述黑色矩陣和所述著色像素的上方設置有透明導電層，所述透明導電層包括：多條第一走向的第一條形圖案，且所述第一條形圖案間隔地位于所述黑色矩陣的正上方。

上述方案中，所述透明導電層還包括：與所述第一條形圖案相連接的第二走向的第一邊緣圖案，所述第一條形圖案和所述第一邊緣圖案相交，且所述第一邊緣圖案位于所述黑色矩陣的正上方。

上述方案中，在所述黑色矩陣和所述著色像素與所述透明導電層之間還設置有平坦層。

上述方案中，所述透明導電層的材質為氧化銦錫(Indium?Tin?Oxide，ITO)或氧化銦鋅(Indium?Zinc?Oxide，IZO)。

上述方案中，所述襯底基板為玻璃基板、石英基板、或塑料基板。

上述方案中，所述CF基板為IPS型或ADS型時，所述第一條形圖案的寬度小于正對的所述黑色矩陣的寬度。

上述方案中，所述CF基板為TN型或VA型時，所述透明導電層還包括：多條間隔地位于所述著色像素正上方的第一走向的第二條形圖案，以及位于所述黑色矩陣正上方的第二走向的第二邊緣圖案，且所述第二條形圖案和所述第二邊緣圖案相交。

上述方案中，所述第一條形圖案的寬度為正對的所述黑色矩陣寬度的三分之一；和/或，所述第一條形圖案與相鄰的所述第二條形圖案形成的狹縫的寬度均為正對的所述黑色矩陣寬度的六分之一；和/或，位于所述著色像素和所述黑色矩陣重疊區域正上方的所述第二條形圖案的寬度為正對的所述黑色矩陣寬度的六分之一。

本實用新型還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括陣列基板和上述的CF基板。