[實用新型]半導體封裝結構

有效

• 申請號: 201320302636.2
• 申請日: 2013-05-29
• 公開（公告）號: CN203300639U
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 施建根;王小江;顧健
• 申請（專利權）人: 南通富士通微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498
• 代理公司: 北京市惠誠律師事務所 11353
• 代理人: 雷志剛;潘士霖

1.一種半導體封裝結構，包括芯片，所述芯片上設有電極，所述芯片和所述電極上選擇性的覆蓋有鈍化層，其特征在于，所述電極上設有絕緣中空柱狀件，所述絕緣中空柱狀件表面及位于所述絕緣中空柱狀件內部的所述電極表面設有金屬層，所述金屬層上、所述絕緣中空柱狀件內設有第一金屬柱，所述第一金屬柱上及所述金屬層上設有第二金屬柱，所述第二金屬柱通過焊料層連接銅板，所述鈍化層為氧化硅層或氮化硅層。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第一金屬柱和所述第二金屬柱均為銅柱。

3.根據權利要求1或2所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述電極為兩個，每個所述電極上均設有絕緣中空柱狀件，兩個所述絕緣中空柱狀件相互分離。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述絕緣中空柱狀件的高度為5um～20um。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述絕緣中空柱狀件的內徑比所述鈍化層在所述電極上的開口小8～20um。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述絕緣中空柱狀件的外徑比所述電極的外徑大8um-200um。

7.根據權利要求3所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第一金屬柱的高度為4.5-19.5um。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第二金屬柱的高度為35～115um。

9.根據權利要求3所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述金屬層包括鈦金屬層和銅金屬層，所述鈦金屬層上設置所述銅金屬層，所述銅金屬層上設有第一金屬柱和第二金屬柱。

10.根據權利要求3所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述芯片的外圍及所述芯片與所述銅板之間填充有樹脂。