[實用新型]半導體器件

有效

• 申請號: 201320300992.0
• 申請日: 2013-05-29
• 公開（公告）號: CN203481223U
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 鈴木和貴;是成貴弘
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

相關申請的交叉引用?

本申請基于在2012年5月29日提交的日本專利申請No.2012-121503并且要求其優先權的權益，其公開通過引用以其整體被并入在此。?

技術領域

本實用新型涉及半導體器件。例如，本實用新型涉及包括絕緣柵型場效應晶體管的半導體器件，該絕緣柵型場效應晶體管具有垂直晶體管結構。?

背景技術

用于鋰離子（Li+）電池保護的CSP（芯片尺寸封裝）型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）（EFLIP：用于鋰離子電池保護的生態倒裝芯片MOSFET）的開發已經從過去開始在進行。作為像這樣的MOSFET，已知在背表面上設置由金屬板或金屬膜構成的漏極電極的單芯片雙類型MOSFET結構（日本未審查專利申請公布No.2008-109008（Yoshida）和用于專利申請的PCT國際公布No.2004-502293（Kinzer等）的公布的日語翻譯）。?

在Yoshida中公開的半導體器件中，通過使用在背表面上形成的公共漏極電極（未示出）在一個半導體襯底上封裝兩個MOSFET。在第一源極電極上，設置了連接到該第一源極電極的兩個第一源極凸塊電極。在第二源極電極上，設置了連接到該第二源極電極的兩個第二源極凸塊電極。?

沿著芯片的短邊布置該第一源極凸塊電極和第二源極凸塊電極。?在第一源極凸塊電極之間設置第一柵極凸塊電極，并且在第二源極凸塊電極之間設置第二柵極凸塊電極。在具有像這樣的結構的MOSFET中，在沿著芯片的短邊的方向上形成電流路徑，并且電流流過在背表面上設置的公共漏極電極。?

而且，在Kinzer等中公開的半導體器件中，將芯片分區為四個區域，并且交錯地布置FET1和FET2。FET1和FET2的每一個具有U形，并且FET1和FET2彼此接合。FET1和2的柵極焊盤G1和G2在芯片的相對角處形成于它們各自的FET1和2的區域內。?

實用新型內容

本發明人已經發現下面的問題。在單芯片雙類型MOSFET中，在這些源極電極之間的電阻RSS（導通）（以下稱為“源極電極間電阻RSS（導通）”）被用作其性能的指標，并且已經期望減小該源極電極間電阻RSS（導通）。當該單芯片雙類型MOSFET在導通狀態中時，源極電極間電阻RSS（導通）包括芯片電阻R（芯片）、Al擴展電阻R（Al）和背表面電阻R（背面金屬）。?

在Yoshida中，通過在半導體襯底中在沿著芯片的短邊的方向上形成水平方向電流路徑來降低背表面電阻R（背面金屬）。然而，在Yoshida中，因為需要增大芯片的長寬比，所以芯片大小變大。因此，有可能在封裝容易度或封裝可靠性上出現問題。?

本發明的第一方面是半導體器件，包括：芯片，所述芯片被分區為包括第一區域、第二區域和第三區域的三個區域；以及公共漏極電極，所述公共漏極電極被設置在所述芯片的背表面上，其中，所述第二區域形成在所述第一區域和所述第三區域之間，第一MOSFET形成在所述第一區域和所述第三區域中，并且第二MOSFET形成在所述第二區域中。?

本發明的第二方面是根據本發明的第一方面的半導體器件，其中，所述第一MOSFET的大小大于所述第二MOSFET的大小。?

本發明的第三方面是根據本發明的第一方面的半導體器件，進一步包括：第一柵極焊盤，所述第一柵極焊盤被設置在所述第一區域中，所述第一柵極焊盤被電連接到所述第一MOSFET；以及第二柵極焊盤，所述第二柵極焊盤被設置在所述第三區域中，所述第二柵極焊盤被電連接到所述第二MOSFET。?

本發明的第四方面是根據本發明的第三方面的半導體器件，其中，在所述第二區域中未設置柵極焊盤。?

本發明的第五方面是根據本發明的第三方面的半導體器件，其中所述第一、第二和第三區域中的每一個包括兩個源極焊盤，并且所述第一和第二柵極焊盤中的每一個被設置為夾在所述兩個源極焊盤之間。?

本發明的第六方面是根據本發明的第五方面的半導體器件，其中，在所述第二區域中，所述第二MOSFET的源極焊盤形成在夾在所述兩個源極焊盤之間的位置。?

本發明的第七方面是根據本發明的第三方面的半導體器件，其中所述第一、第二和第三區域中的每一個包括兩個源極焊盤，在所述第一區域中，所述源極焊盤中的一個被設置為夾在所述源極焊盤中的另一個和所述第一柵極焊盤之間，在所述第三區域中，所述源極焊盤中的一個被設置為夾在所述源極焊盤中的另一個和所述第二柵極焊盤之間，以及所述第一和第二柵極焊盤被設置為沿著所述芯片的短邊布置成一行。?