[實用新型]光伏發電系統有效
| 申請號: | 201320295348.9 | 申請日: | 2013-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN203277417U | 公開(公告)日: | 2013-11-06 |
| 發明(設計)人: | 郭大力;孫波;張力夫;劉運北;沙川;王亮;朱光輝;鄒宗育;韋永蘭 | 申請(專利權)人: | 中國恩菲工程技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/052 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋合成;黃德海 |
| 地址: | 100038*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發電 系統 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種光伏發電系統。
背景技術
現有的光伏發電系統的光伏組件需要對太陽光進行追蹤,因此需要結構很復雜的驅動裝置。這導致現有的光伏發電系統存在結構復雜、制造成本高的缺陷。
實用新型內容
本實用新型旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此,本實用新型的一個目的在于提出一種光伏發電系統。
為了實現上述目的,根據本實用新型提出一種光伏發電系統,所述光伏發電系統包括:支架;光伏組件,所述光伏組件固定在所述支架上;固定基礎;和用于將太陽光反射到所述光伏組件上的反射件,所述反射件固定在所述固定基礎上。
根據本實用新型的光伏發電系統通過設置用于將太陽光反射到所述光伏組件上的所述反射件,從而可以提高所述光伏組件的表面光輻照量,由此可以提高所述光伏發電系統的發電效率。而且,通過將所述反射件固定在所述固定基礎上,從而可以使所述光伏發電系統的結構更加簡單,且使所述光伏發電系統的制造難度更低、制造成本更小。
因此,根據本實用新型的光伏發電系統具有發電效率高、結構簡單、制造難度低、制造成本小、占用空間小等優點。根據本實用新型的光伏發電系統適合用于大型的光伏電站中,可以減小光伏電站的占地面積。
另外,根據本實用新型的光伏發電系統還可以具有如下附加的技術特征:
所述固定基礎為鏡架,所述反射件為反射鏡。
所述固定基礎為土坡,所述反射件為銀粉層,所述銀粉層設在所述土坡的斜面上。由此可以進一步降低所述光伏發電系統的制造成本。
所述光伏組件的下沿在上下方向上與地面的距離為500毫米-700毫米。由此可以進一步提高所述光伏發電系統的發電效率。
所述反射件的鄰近所述光伏組件的邊沿與所述光伏組件的下沿在左右方向上的距離大于等于120毫米。由此所述反射件可以將更多的太陽光反射到所述光伏組件上,從而可以進一步提高所述光伏發電系統的發電效率。
所述光伏組件與地面的夾角與所述光伏組件所處位置的緯度之差為10度-25度。由此可以使所述光伏組件直接地接受更多的太陽光,從而可以進一步提高所述光伏發電系統的發電效率。
所述光伏組件的長度與所述反射件的長度之比為1:1.5-2.5。由此所述反射件可以將更多的太陽光反射到所述光伏組件上,從而可以進一步提高所述光伏發電系統的發電效率。
所述反射件與所述光伏組件之間的夾角為90度-110度。由此所述反射件可以將更多的太陽光反射到所述光伏組件上,從而可以進一步提高所述光伏發電系統的發電效率。
所述土坡與所述光伏組件之間的夾角為110度-125度。由此所述反射件可以將更多的太陽光反射到所述光伏組件上,從而可以進一步提高所述光伏發電系統的發電效率。
所述土坡包括第一子坡和第二子坡,所述第二子坡的下沿與所述第一子坡的上沿相連,其中所述第一子坡與所述光伏組件之間的夾角為115度-130度,所述第二子坡與所述光伏組件之間的夾角為105度-120度。由此所述反射件可以將更多的太陽光反射到所述光伏組件上,從而可以進一步提高所述光伏發電系統的發電效率。
所述第二子坡的上沿在上下方向上與地面的距離和所述第一子坡的長度之比為1:2.5-3,所述第二子坡的上沿在上下方向上與地面的距離和所述第二子坡的長度之比為1:1.2-2.0。由此所述反射件可以將更多的太陽光反射到所述光伏組件上,從而可以進一步提高所述光伏發電系統的發電效率。
本實用新型的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出,部分將從下面的描述中變得明顯,或通過本實用新型的實踐了解到。
附圖說明
本實用新型的上述和/或附加的方面和優點從結合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解,其中:
圖1是根據本實用新型的一個實施例的光伏發電系統的結構示意圖;
圖2是根據本實用新型的另一個實施例的光伏發電系統的結構示意圖;
圖3是根據本實用新型的又一個實施例的光伏發電系統的結構示意圖。
具體實施方式
下面詳細描述本實用新型的實施例,所述實施例的示例在附圖中示出,其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的,僅用于解釋本實用新型,而不能理解為對本實用新型的限制。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





