[實用新型]一種陣列基板以及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320292100.7 | 申請日: | 2013-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN203350571U | 公開(公告)日: | 2013-12-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐向陽;鄧立赟;金玟秀;操彬彬 | 申請(專利權(quán))人: | 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陳源 |
| 地址: | 230011 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 以及 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,該陣列基板包括呈網(wǎng)格分布的非像素區(qū)以及由所述非像素區(qū)包圍形成的多個子像素區(qū),所述非像素區(qū)內(nèi)設(shè)置有多條交叉設(shè)置的掃描線和數(shù)據(jù)線,其特征在于,所述子像素區(qū)與非像素區(qū)的上方均設(shè)置有公共電極,所述公共電極對應(yīng)著所述子像素區(qū)的區(qū)域的厚度為第一厚度,所述公共電極對應(yīng)著所述掃描線和/或所述數(shù)據(jù)線的區(qū)域的厚度為第二厚度,所述第一厚度小于所述第二厚度。?
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述公共電極采用氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦錫或氧化銦鎵錫形成。?
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述公共電極中對應(yīng)著所述子像素區(qū)、所述掃描線和/或所述數(shù)據(jù)線的區(qū)域中小于等于第一厚度的部分采用氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦錫或氧化銦鎵錫形成;所述公共電極中對應(yīng)著所述掃描線和/或所述數(shù)據(jù)線的區(qū)域中大于第一厚度且小于等于第二厚度的部分采用鉬、鉬鈮合金、鋁、鋁釹合金、鈦或銅形成。?
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的陣列基板,其特征在于,所述子像素區(qū)內(nèi)設(shè)置有柵電極、柵極絕緣層、有源層、源電極、漏電極、像素電極以及鈍化層,所述掃描線與所述柵電極電連接,所述數(shù)據(jù)線與所述源電極電連接,所述像素電極與所述漏電極電連接,所述公共電極延伸至覆蓋所述掃描線和/或所述數(shù)據(jù)線。?
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述源電極和所述漏電極與所述像素電極之間還進一步包括有有機薄膜層,所述有機薄膜層采用含有感光材料的樹脂材料形成。?
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述有源層采用氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦錫或氧化銦鎵錫形成;或者,所述有源層采用非晶硅材料形成。?
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述公共電極設(shè)置于所述鈍化層的上方,所述公共電極在對應(yīng)著所述子像素區(qū)的區(qū)域內(nèi)呈狹縫狀分布;?
或者,所述像素電極設(shè)置于所述鈍化層的上方,所述像素電極在對應(yīng)著所述子像素區(qū)的區(qū)域內(nèi)呈狹縫狀分布。?
8.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的陣列基板,其特征在于,所述第一厚度的范圍為所述第二厚度的范圍為300~?
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1-8任一項所述的陣列基板。?
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G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





