[實用新型]半導體晶片的除蠟器

有效

• 申請號: 201320288811.7
• 申請日: 2013-05-23
• 公開（公告）號: CN203339119U
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 王月芳
• 申請（專利權）人: 王月芳
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種除臘裝置，尤其涉及一種半導體晶片的除蠟器，屬于半導體應用領域。

背景技術

半導體是人類當代工業發展中不可或缺的材料，通常意義上講，半導體是指常溫下導電性能介于導體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應用。

半導體材料可按化學組成來分，再將結構與性能比較特殊的非晶態與液態半導體單獨列為一類。按照這樣分類方法可將半導體材料分為元素半導體、無機化合物半導體、有機化合物半導體和非晶態與液態半導體。

半導體材料雖然種類繁多但有一些固有的特性，稱為半導體材料的半導體材料特性參數。這些特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別，而且更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至同一種材料在不同情況下特性上的量的差別。常用的半導體材料的特性參數有：禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導體中參加導電的電子和空穴)、非平衡載流子壽命、位錯密度。禁帶寬度由半導體的電子態、原子組態決定，反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態激發到自由狀態所需的能量。電阻率、載流子遷移率反映材料的導電能力。非平衡載流子壽命反映半導體材料在外界作用(如光或電場)下內部的載流子由非平衡狀態向平衡狀態過渡的弛豫特性。位錯是晶體中最常見的一類晶體缺陷。位錯密度可以用來衡量半導體單晶材料晶格完整性的程度。當然，對于非晶態半導體是沒有這一反映晶格完整性的特性參數的。

20世紀中葉，單晶硅和半導體晶體管的發明及其硅集成電路的研制成功，導致了電子工業革命；20世紀70年代初石英光導纖維材料和GaAs激光器的發明，促進了光纖通信技術迅速發展并逐步形成了高新技術產業，使人類進入了信息時代。超晶格概念的提出及其半導體超晶格、量子阱材料的研制成功，徹底改變了光電器件的設計思想，使半導體器件的設計與制造從“雜質工程”發展到“能帶工程”。納米科學技術的發展和應用，將使人類能從原子、分子或納米尺度水平上控制、操縱和制造功能強大的新型器件與電路，深刻地影響著世界的政治、經濟格局和軍事對抗的形式，徹底改變人們的生活方式。

由此可見，半導體材料在人類現代化工業生產中起著舉足輕重的作用，而伴隨著半導體材料進行的各種產品研發、應用、設計等都是科研人員孜孜以求的目標。伴隨著半導體材料的發展，我們認為可以有更多的應用和推廣。

實用新型內容

為了克服現有技術的不足，解決好現有技術的問題，彌補現有目前市場上現有產品的不足。

本實用新型提供了一種半導體晶片的除蠟器，包括電熱除蠟盤和蠟液回收瓶，其特征在于，所述電熱除蠟盤設置在蠟液回收瓶的瓶口處，所述電熱除蠟盤包括電熱絲和盤體，所述電熱絲設置在盤體的側壁上，所述盤體底部設置有多個孔洞，所述蠟液回收瓶具有蠟液流出口。

優選的，上述蠟液回收瓶的瓶口處設置有濾網。

優選的，上述除蠟器還包括蓋于電熱除蠟盤上的蓋體。

優選的，上述電熱除蠟盤的外壁上還設置有溫度傳感器。

優選的，上述濾網的層數為2～5層。

優選的，上述電熱除蠟盤采用耐高溫陶瓷材料制成。

本實用新型提供的半導體晶片的除蠟器與傳統的裝置相比，本實用新型提供的半導體晶片的除蠟器除臘效果佳，使用了濾網，提高了液態蠟的純凈度，也提高了除臘效率。

附圖說明

圖1為本實用新型結構示意圖。

圖中標記：1-電熱除蠟盤；2-蠟液回收瓶；3-電熱絲；4-盤體；5-蓋體。

具體實施方式

為了便于本領域普通技術人員理解和實施本實用新型，下面結合附圖及具體實施方式對本實用新型作進一步的詳細描述。

如圖1所示為本實用新型的半導體晶片的除蠟器結構示意圖，主體包括電熱除蠟盤1和蠟液回收瓶2。

其中，電熱除蠟盤1設置在蠟液回收瓶2的瓶口處，所述電熱除蠟盤1包括電熱絲3和盤體4，所述電熱絲3設置在盤體4的側壁上，所述盤體4底部設置有多個孔洞，所述蠟液回收瓶2具有蠟液流出口。

為了防止堵塞，在蠟液回收瓶2的瓶口處設置有濾網，濾網的層數為2～5層。

此外，從保護內部元器件的角度出發，除蠟器還包括蓋于電熱除蠟盤1上的蓋體5。

電熱除蠟盤1的外壁上還設置有溫度傳感器。

電熱除蠟盤1采用耐高溫陶瓷材料制成。

本實用新型提供的半導體晶片的除蠟器與傳統的裝置相比，本實用新型提供的半導體晶片的除蠟器除臘效果佳，使用了濾網，提高了液態蠟的純凈度，也提高了除臘效率。

以上所述之具體實施方式為本實用新型的較佳實施方式，并非以此限定本實用新型的具體實施范圍，本實用新型的范圍包括并不限于本具體實施方式，凡依照本實用新型之形狀、結構所作的等效變化均在本實用新型的保護范圍內。