[實用新型]半導體LED發光裝置有效

申請號：	201320288683.6	申請日：	2013-05-23
公開（公告）號：	CN203325960U	公開（公告）日：	2013-12-04
發明（設計）人：	王靜娜	申請（專利權）人：	王靜娜
主分類號：	H01L33/00	分類號：	H01L33/00
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	315500 浙江省***	國省代碼：	浙江;33
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體 led 發光裝置
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【權利要求書】：

1.一種半導體LED發光裝置，包括基板(1)、多層晶體層(2)、光輸出層(3)和金屬電極(4)，其特征在于，所述多層晶體層(1)包括緩沖層(5)、第一半導體層(6)、第二半導體層(7)以及光發生層(8)，所述緩沖層(5)設置在基板(1)上，所述第一半導體層(6)設置在緩沖層(5)上，所述光發生層(8)設置在第一半導體層(6)上，所述第二半導體層(7)設置在所述光發生層(8)上，所述光輸出層(3)設置在所述第二半導體層(7)上，所述電極(4)設置在光輸出層(3)上。

2.根據權利要求1所述的半導體LED發光裝置，其特征在于，所述基板(1)厚度為500～800μm。

3.根據權利要求2所述的半導體LED發光裝置，其特征在于，所述緩沖層(5)為低溫緩沖層。

4.根據權利要求3所述的半導體LED發光裝置，其特征在于，所述第一半導體(6)的厚度為7～10μm。

5.根據權利要求4所述的半導體LED發光裝置，其特征在于，所述第二半導體(7)的厚度為2～4μm。

6.根據權利要求5所述的半導體LED發光裝置，其特征在于，所述光輸出層(3)為金屬氧化層。

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