[實(shí)用新型]半導(dǎo)體地暖裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320288625.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-05-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203336676U | 公開(公告)日: | 2013-12-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王靜娜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 王靜娜 |
| 主分類號(hào): | F24D3/14 | 分類號(hào): | F24D3/14;F24D19/10 |
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| 地址: | 315500 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種取暖設(shè)備或裝置,尤其涉及一種半導(dǎo)體地暖裝置,屬于半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體是人類當(dāng)代工業(yè)發(fā)展中不可或缺的材料,通常意義上講,半導(dǎo)體是指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。
半導(dǎo)體材料可按化學(xué)組成來分,再將結(jié)構(gòu)與性能比較特殊的非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體單獨(dú)列為一類。按照這樣分類方法可將半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體、無機(jī)化合物半導(dǎo)體、有機(jī)化合物半導(dǎo)體和非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體。
半導(dǎo)體材料雖然種類繁多但有一些固有的特性,稱為半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體材料特性參數(shù)。這些特性參數(shù)不僅能反映半導(dǎo)體材料與其他非半導(dǎo)體材料之間的差別,而且更重要的是能反映各種半導(dǎo)體材料之間甚至同一種材料在不同情況下特性上的量的差別。常用的半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)有:禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導(dǎo)體中參加導(dǎo)電的電子和空穴)、非平衡載流子壽命、位錯(cuò)密度。禁帶寬度由半導(dǎo)體的電子態(tài)、原子組態(tài)決定,反映組成這種材料的原子中價(jià)電子從束縛狀態(tài)激發(fā)到自由狀態(tài)所需的能量。電阻率、載流子遷移率反映材料的導(dǎo)電能力。非平衡載流子壽命反映半導(dǎo)體材料在外界作用(如光或電場(chǎng))下內(nèi)部的載流子由非平衡狀態(tài)向平衡狀態(tài)過渡的弛豫特性。位錯(cuò)是晶體中最常見的一類晶體缺陷。位錯(cuò)密度可以用來衡量半導(dǎo)體單晶材料晶格完整性的程度。當(dāng)然,對(duì)于非晶態(tài)半導(dǎo)體是沒有這一反映晶格完整性的特性參數(shù)的。
20世紀(jì)中葉,單晶硅和半導(dǎo)體晶體管的發(fā)明及其硅集成電路的研制成功,導(dǎo)致了電子工業(yè)革命;20世紀(jì)70年代初石英光導(dǎo)纖維材料和GaAs激光器的發(fā)明,促進(jìn)了光纖通信技術(shù)迅速發(fā)展并逐步形成了高新技術(shù)產(chǎn)業(yè),使人類進(jìn)入了信息時(shí)代。超晶格概念的提出及其半導(dǎo)體超晶格、量子阱材料的研制成功,徹底改變了光電器件的設(shè)計(jì)思想,使半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)與制造從“雜質(zhì)工程”發(fā)展到“能帶工程”。納米科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用,將使人類能從原子、分子或納米尺度水平上控制、操縱和制造功能強(qiáng)大的新型器件與電路,深刻地影響著世界的政治、經(jīng)濟(jì)格局和軍事對(duì)抗的形式,徹底改變?nèi)藗兊纳罘绞健?/p>
由此可見,半導(dǎo)體材料在人類現(xiàn)代化工業(yè)生產(chǎn)中起著舉足輕重的作用,而伴隨著半導(dǎo)體材料進(jìn)行的各種產(chǎn)品研發(fā)、應(yīng)用、設(shè)計(jì)等都是科研人員孜孜以求的目標(biāo)。伴隨著半導(dǎo)體材料的發(fā)展,我們認(rèn)為可以有更多的應(yīng)用和推廣。
實(shí)用新型內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,解決好現(xiàn)有技術(shù)的問題,彌補(bǔ)現(xiàn)有目前市場(chǎng)上現(xiàn)有產(chǎn)品的不足。
本實(shí)用新型提供了一種半導(dǎo)體地暖裝置,包括殼體、水箱、增壓泵和半導(dǎo)體電熱絲,所述水箱和增壓泵設(shè)置在所述殼體的殼腔內(nèi),水箱內(nèi)包括第一箱體和設(shè)置于第一箱體下方的第二箱體,所述第一箱體和第二箱體通過熱水管道進(jìn)行連接,所述半導(dǎo)體電熱絲纏繞在第一箱體的外壁上,所述第一箱體上設(shè)有用于連接進(jìn)水管道的進(jìn)水口;所述第二箱體上設(shè)有出水口,所述出水口通過增壓泵連接出水管道。
優(yōu)選的,上述熱水管道上設(shè)置有控制閥。
優(yōu)選的,上述第一箱體內(nèi)設(shè)置有溫度傳感器。
優(yōu)選的,上述熱水管道設(shè)置在所述第一箱體的底部。
優(yōu)選的,上述第一箱體內(nèi)還設(shè)置有水位傳感器。
優(yōu)選的,上述殼體的內(nèi)壁和外壁上均涂覆有保溫材料層。
本實(shí)用新型提供的半導(dǎo)體地暖裝置與傳統(tǒng)的裝置相比,本實(shí)用新型提供的半導(dǎo)體地暖裝置設(shè)計(jì)了開啟式和密閉式回水系統(tǒng),有效地防止了憋氣現(xiàn)象以及換季時(shí)必須的排氣情況。
附圖說明
圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中標(biāo)記:1-殼體;2-水箱;3-增壓泵;4-半導(dǎo)體電熱絲;5-第一箱體;6-第二箱體;7-進(jìn)水口;8-出水口。
具體實(shí)施方式
為了便于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解和實(shí)施本實(shí)用新型,下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
如圖1所示為本實(shí)用新型的半導(dǎo)體地暖裝置結(jié)構(gòu)示意圖,主體包括殼體1、水箱2、增壓泵3和半導(dǎo)體電熱絲4。
其中,所述水箱2和增壓泵3設(shè)置在所述殼體1的殼腔內(nèi),水箱2內(nèi)包括第一箱體5和設(shè)置于第一箱體下方的第二箱體6,所述第一箱體5和第二箱體6通過熱水管道進(jìn)行連接,所述半導(dǎo)體電熱絲4纏繞在第一箱體5的外壁上,所述第一箱體5上設(shè)有用于連接進(jìn)水管道的進(jìn)水口7;所述第二箱體6上設(shè)有出水口8,所述出水口8通過增壓泵3連接出水管道。
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