[實用新型]一種太陽能電池片上的異形主柵線有效
| 申請號: | 201320279446.3 | 申請日: | 2013-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN203277401U | 公開(公告)日: | 2013-11-06 |
| 發明(設計)人: | 盧君;馬嫣明;李向清 | 申請(專利權)人: | 江蘇愛多光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能電池 異形 主柵線 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種太陽能電池片,具體涉及一種太陽能電池片上的異形主柵線。
背景技術
隨著全球能源的日趨緊張,太陽能以清潔能源、市場空間大等獨有的優勢受到世界各國的廣泛重視。光伏發電具有安全可靠、無噪聲、故障率低等優點,太陽能電池是光伏發電技術中將太陽能直接轉換為電能的主要器件。
常見的晶體硅太陽能電池是由背電極、背場、半導體材料構成的P型層、N型層、P-N結、減反射薄膜、正面柵電極等部分構成。當太陽光照射到太陽能電池表面時,減反射薄膜和絨面結構可有效減少電池表面的光反射損失。太陽能電池中的半導體結構吸收太陽光能后,激發產生電子、空穴對,電子、空穴對被半導體內部P-N結自建電場分開,電子流入N區,空穴流入P區,形成光生電場,如果將晶體硅太陽電池的正、負電極與外部電路連接,外部電路中就有光生電流流過。
現有常規晶體硅太陽能電池片正面所涂覆的主柵和副柵銀漿層的排布都是平行線,在電池片的正面,涂覆有三條(或兩條)相互平行的主(主柵寬度1-2mm)?及與之相垂直的N條副柵(?副柵寬度>20um)?的銀漿層。主柵和副柵的排布原則是:主柵的條數不超過三條:副柵的條數可為N條:主柵或副柵各條之間相互平行;主柵與副柵之間相互垂直。這種主、副柵排布的電池片在使用中存在的不足是:不利于電池片的改進,因為主柵的條數不超過三條,改進的余地很小,只能針對副柵的寬度進行細化或對副柵的根數進行調整,但因副柵的寬度本身就窄,若再減小,就會使得在銀漿絲網印刷過程中經常容易出現的虛印、斷線現象會更加嚴重,這會降低電池片的轉換效率,使得電池片成本及轉換效率之間無法做到兩者兼顧。
實用新型內容
本實用新型的目的在于克服現有技術中存在的缺陷,提供一種異形主柵線,該異形主柵線針對現有常規晶體硅太陽能電池片正面所涂覆的主柵和副柵銀漿層的排布在使用中存在的不足,而提出一種對常規晶體硅太陽能電池片正面所涂覆的主柵和副柵銀漿層排布的改進,可使電池片成本及轉換效率之間做到兩者兼顧的多主柵太陽能電池片。
為實現上述目的,本實用新型的技術方案是設計一種太陽能電池片上的異形主柵線,其特征在于,所述異形主柵線為S形,所述異形主柵線的數目至少為三條,所述太陽能電池片上的副柵線為波浪形。
其中優選的技術方案是,所述異形主柵線的寬度為0.6~1.8mm,所述異形主柵線的厚度為0.2~0.8mm。
本實用新型的優點和有益效果在于:1?、電池片的電流收集效果更佳,虛印、斷線等印刷異常的電池片對電池片轉換效率的影響減小,因為異形主柵可以使電流在副柵發生虛印斷線的狀態下,有更多路徑選擇到達主柵;2、主、副柵根數有更大的搭配自由度,電池片工藝可調配的空間更大,節省正面的銀漿耗量;常規設計在日益成熟的銀漿體系下,提升轉換效率只能通過改變主、副柵的寬度及增加副柵根數的途徑來實現,在提升轉換效率的同時,銀漿耗量不可避免的增加;但本實用新型可以通異形主柵,并適當調整主柵根數就可以達到既能提升轉換效率又能節省漿料的目的;3、減少電池片遮光面積,提升電池片轉換效率,工藝調整的窗口更大;在不同的銀漿體系下,通過調整設計圖形的遮光面積,在不改變串聯電阻的前提下,提升電池的短路電流,減少遮光面積還能使銀漿顆粒與PN結接觸處的界面復合減小,從而在一定程度上提升開路電壓,通過轉換效率二短路電流*開路電壓*填充因子/(電池面積*測試光強)得公式發現,轉換效率可以得到提升。
附圖說明
圖1是本實用新型太陽能電池片上的異形主柵線結構示意圖。
圖中:1、異形主柵線;2、太陽能電池片;3、副柵線。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例,對本實用新型的具體實施方式作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本實用新型的技術方案,而不能以此來限制本實用新型的保護范圍。
如圖1所示,本實用新型是一種太陽能電池片上的異形主柵線,該異形主柵線1為S形,異形主柵線1的數目至少為三條,所述太陽能電池片2上的副柵線3為波浪形。
在本實用新型中優選的實施方案是,異形主柵線1的寬度為0.6~1.8mm,異形主柵線1的厚度為0.2~0.8mm。
以上所述僅是本實用新型的優選實施方式,應當指出,對于本技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本實用新型技術原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應視為本實用新型的保護范圍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





