[實(shí)用新型]可用于共晶焊的P型硅器件芯片背面金屬化結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320272682.2 | 申請日： | 2013-05-20 |
| 公開（公告）號： | CN203300630U | 公開（公告）日： | 2013-11-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王仁書;徐永平 | 申請（專利權(quán)）人： | 揚(yáng)州晶新微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/482 | 分類號： | H01L23/482 |
| 代理公司： | 揚(yáng)州蘇中專利事務(wù)所(普通合伙) 32222 | 代理人： | 許必元 |
| 地址： | 225009 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 共晶焊 器件 芯片 背面 金屬化 結(jié)構(gòu) | ||
【權(quán)利要求書】：
1.可用于共晶焊的P型硅器件芯片背面金屬化結(jié)構(gòu)，其特征是，P型硅半導(dǎo)體基材背面設(shè)有III?族元素原子與金及P型硅半導(dǎo)體材料的多元合金層，在多元合金層上設(shè)有金金屬層或再在金金屬層上設(shè)有SnCu或SnSb金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的，可用于共晶焊的P型硅器件芯片背面金屬化結(jié)構(gòu)，其特征是，所述多元合金層厚度為0.02-0.3微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的，可用于共晶焊的P型硅器件芯片背面金屬化結(jié)構(gòu)，其特征是，所述金金屬層厚度為1-2微米。
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