[實(shí)用新型]平面可控硅器件芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320272681.8
• 申請(qǐng)日: 2013-05-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203325910U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉紀(jì)云;王仁書;祝方明;陳實(shí)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 揚(yáng)州中芯晶來(lái)半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/74
• 分類號(hào): H01L29/74;H01L29/06;H01L21/332
• 代理公司: 揚(yáng)州蘇中專利事務(wù)所(普通合伙) 32222
• 代理人: 許必元

1.平面可控硅器件芯片，包括硅襯底片，硅襯底片表面依次設(shè)置的摻氧多晶硅鈍化層（5）、下二氧化硅層（7）、磷硅玻璃層（8）、上二氧化硅層（9）和門極區(qū)引線孔窗口（10）、陰極區(qū)引線孔窗口（11），其特征是，在所述摻氧多晶硅鈍化層（5）與下二氧化硅層（7）之間設(shè)有摻氮多晶硅層（6）。

2.權(quán)利要求1所述的平面可控硅器件芯片，其特征是，所述硅襯底片由N-單晶硅片上設(shè)有隔離擴(kuò)散的P+區(qū)（1）、陽(yáng)極P區(qū)（2）、門極P區(qū)（3）及陰極N+區(qū)（4）構(gòu)成。