[實(shí)用新型]整流型阻容吸收裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320272490.1 | 申請(qǐng)日: | 2013-05-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203289093U | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-11-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 芮駿;唐春林 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 安徽一天電氣技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H02H9/04 | 分類(lèi)號(hào): | H02H9/04 |
| 代理公司: | 合肥和瑞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 34118 | 代理人: | 任崗生 |
| 地址: | 230031 安徽省*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 整流 型阻容 吸收 裝置 | ||
1.一種整流型阻容吸收裝置,包括串聯(lián)型阻容吸收部件(2),其特征在于:?
所述整流型阻容吸收裝置還包括三相整流部件(1);?
所述串聯(lián)型阻容吸收部件(2)的基本組成為串聯(lián)連接的第一高能電阻器(21)和第一高壓電容器(23),其兩端跨接于所述三相整流部件(1)的輸出端。?
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整流型阻容吸收裝置,其特征是三相整流部件(1)為三相半波整流部件或三相全波整流部件。?
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的整流型阻容吸收裝置,其特征是三相全波整流部件為三相橋式整流器,其由第一高壓硅堆(11)、第二高壓硅堆(12)、第三高壓硅堆(13)、第四高壓硅堆(14)、第五高壓硅堆(15)和第六高壓硅堆(16)以三相橋式整流電路結(jié)構(gòu)電連接組成。?
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整流型阻容吸收裝置,其特征是第一高壓電容器(23)的兩端并聯(lián)連接有第二高能電阻器(22)。?
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的整流型阻容吸收裝置,其特征是在工作電壓等級(jí)為6~10kV下,第一高壓硅堆(11)、第二高壓硅堆(12)、第三高壓硅堆(13)、第四高壓硅堆(14)、第五高壓硅堆(15)和第六高壓硅堆(16)的電氣參數(shù)均為75kV/500mA。?
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的整流型阻容吸收裝置,其特征是在工作電壓等級(jí)為6~10kV下,第一高能電阻器(21)的電氣參數(shù)為100~500Ω/50W,第二高能電阻器(22)的電氣參數(shù)為1~10MΩ/80W,第一高壓電容器(23)的?電氣參數(shù)為0.1~2μF。?
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的整流型阻容吸收裝置,其特征是在工作電壓等級(jí)為35kV下,第一高壓硅堆(11)、第二高壓硅堆(12)、第三高壓硅堆(13)、第四高壓硅堆(14)、第五高壓硅堆(15)和第六高壓硅堆(16)的電氣參數(shù)均為200kV/500mA。?
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的整流型阻容吸收裝置,其特征是在工作電壓等級(jí)為35kV下,第一高能電阻器(21)的電氣參數(shù)為100~500Ω/50W,第二高能電阻器(22)的電氣參數(shù)為10~500MΩ/80W,第一高壓電容器(23)的電氣參數(shù)為0.1~2μF。?
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