[實用新型]整流型阻容吸收裝置有效
| 申請號： | 201320272490.1 | 申請日： | 2013-05-17 |
| 公開（公告）號： | CN203289093U | 公開（公告）日： | 2013-11-13 |
| 發明（設計）人： | 芮駿;唐春林 | 申請（專利權）人： | 安徽一天電氣技術有限公司 |
| 主分類號： | H02H9/04 | 分類號： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 合肥和瑞知識產權代理事務所(普通合伙) 34118 | 代理人： | 任崗生 |
| 地址： | 230031 安徽省*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 整流 型阻容 吸收 裝置 | ||
1.一種整流型阻容吸收裝置，包括串聯型阻容吸收部件（2），其特征在于：?
所述整流型阻容吸收裝置還包括三相整流部件（1）；?
所述串聯型阻容吸收部件（2）的基本組成為串聯連接的第一高能電阻器（21）和第一高壓電容器（23），其兩端跨接于所述三相整流部件（1）的輸出端。?
2.根據權利要求1所述的整流型阻容吸收裝置，其特征是三相整流部件（1）為三相半波整流部件或三相全波整流部件。?
3.根據權利要求2所述的整流型阻容吸收裝置，其特征是三相全波整流部件為三相橋式整流器，其由第一高壓硅堆（11）、第二高壓硅堆（12）、第三高壓硅堆（13）、第四高壓硅堆（14）、第五高壓硅堆（15）和第六高壓硅堆（16）以三相橋式整流電路結構電連接組成。?
4.根據權利要求1所述的整流型阻容吸收裝置，其特征是第一高壓電容器（23）的兩端并聯連接有第二高能電阻器（22）。?
5.根據權利要求3所述的整流型阻容吸收裝置，其特征是在工作電壓等級為6～10kV下，第一高壓硅堆（11）、第二高壓硅堆（12）、第三高壓硅堆（13）、第四高壓硅堆（14）、第五高壓硅堆（15）和第六高壓硅堆（16）的電氣參數均為75kV/500mA。?
6.根據權利要求4所述的整流型阻容吸收裝置，其特征是在工作電壓等級為6～10kV下，第一高能電阻器（21）的電氣參數為100～500Ω/50W，第二高能電阻器（22）的電氣參數為1～10MΩ/80W，第一高壓電容器（23）的?電氣參數為0.1～2μF。?
7.根據權利要求3所述的整流型阻容吸收裝置，其特征是在工作電壓等級為35kV下，第一高壓硅堆（11）、第二高壓硅堆（12）、第三高壓硅堆（13）、第四高壓硅堆（14）、第五高壓硅堆（15）和第六高壓硅堆（16）的電氣參數均為200kV/500mA。?
8.根據權利要求4所述的整流型阻容吸收裝置，其特征是在工作電壓等級為35kV下，第一高能電阻器（21）的電氣參數為100～500Ω/50W，第二高能電阻器（22）的電氣參數為10～500MΩ/80W，第一高壓電容器（23）的電氣參數為0.1～2μF。?
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