[實用新型]一種BE結(jié)集成電阻的改進型槽型聯(lián)柵晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320264090.6
• 申請日: 2013-05-15
• 公開（公告）號: CN203423186U
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張雷;喬宇波;梁明
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市盛元半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/417
• 代理公司: 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，具體為一種BE結(jié)集成電阻的改進型槽型聯(lián)柵晶體管。?

背景技術(shù)

功率器件是現(xiàn)代電力電子行業(yè)的核心器件。半導(dǎo)體新能源技術(shù)以及國家節(jié)能降耗政策均離不開功率器件的支持，如MOSFET以及基于MOSFET發(fā)展起來的IGBT等，而槽型聯(lián)柵型晶體管則是一種新型的功率器件，槽型聯(lián)柵晶體管同時具有MOSFET和BJT的優(yōu)點，其主要特點為：動態(tài)損耗小，開關(guān)速度快，二次擊穿耐壓高，功率容量和安全工作區(qū)大；具有負的溫度系數(shù)，熱穩(wěn)定性好，抗沖擊能力和抗高頻輻射能力強。?

如圖1所示，通常槽型聯(lián)柵晶體管在應(yīng)用中，柵極5的凹槽內(nèi)沒有沉淀一層多晶硅層8，需要在BE間外接電阻，這樣就增加了用戶的成本。?

實用新型內(nèi)容

本實用新型所解決的技術(shù)問題在于提供一種BE結(jié)集成電阻的改進型槽型聯(lián)柵晶體管，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。?

本實用新型所解決的技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)：?

一種BE結(jié)集成電阻的改進型槽型聯(lián)柵晶體管，包括集電極的引出端、N+襯底、N+導(dǎo)電材料層、N-導(dǎo)電材料層、槽型柵極、基區(qū)、氧化層、多晶硅層以及發(fā)射極，所述集電極的引出端、N+襯底、N+導(dǎo)電材料層以及N-導(dǎo)電材料層依次相連，所述N-導(dǎo)電材料層上設(shè)有兩個注有B的槽型柵極，所述柵極之間設(shè)有注有B的基區(qū)，柵極和基區(qū)通過擴散后連成一體，柵極和基區(qū)上面設(shè)有氧化層，基區(qū)和氧化層上開有發(fā)射極，同時氧化層上淀積有多晶硅層，多晶硅層通過離?子注入As/P形成導(dǎo)電層，發(fā)射極上面的多晶硅層經(jīng)過高溫擴散后在發(fā)射極下面形成一定的發(fā)射區(qū)。?

有益效果：?

本實用新型動態(tài)損耗小，開關(guān)速度快，二次擊穿耐壓高，功率容量和安全工作區(qū)大；具有負的溫度系數(shù)，熱穩(wěn)定性好，抗沖擊能力和抗高頻輻射能力強；為終端客戶節(jié)省成本，提升電路的集成度，具有一定的應(yīng)用與推廣價值。?

附圖說明

圖1為背景技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖；?

圖2為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。?

具體實施方式

為了使本實用新型的實現(xiàn)技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進一步闡述本實用新型。?

如圖2所示，一種BE結(jié)集成電阻的改進型槽型聯(lián)柵晶體管，包括集電極的引出端1、N+襯底2、N+導(dǎo)電材料層3、N-導(dǎo)電材料層4、槽型柵極5、基區(qū)6、氧化層7、多晶硅層8以及發(fā)射極9，所述集電極的引出端1、N+襯底2、N+導(dǎo)電材料層3以及N-導(dǎo)電材料層4依次相連，所述N-導(dǎo)電材料層4上設(shè)有兩個注有B的槽型柵極5，所述柵極5之間設(shè)有注有B的基區(qū)6，柵極5和基區(qū)6通過擴散后連成一體，柵極5和基區(qū)6上面設(shè)有氧化層7，基區(qū)6和氧化層7上開有發(fā)射極9，同時氧化層7上淀積有多晶硅層8，多晶硅層8通過離子注入As/P形成導(dǎo)電層，發(fā)射極9上面的多晶硅層8經(jīng)過高溫擴散后在發(fā)射極下面形成一定的發(fā)射區(qū)。?

在本實用新型中，發(fā)射極在RIE刻蝕時在基區(qū)6和多晶硅層8之間保留一個條形多晶硅發(fā)射極9，發(fā)射極9的面積可以根據(jù)實際應(yīng)用電路中B和E之間所?需的電阻大小進行調(diào)整，并進行高溫退火，在芯片B和E之間形成一定電阻值的發(fā)射極9，從而在不增加芯片面積和工藝復(fù)雜度以及工藝成本的情況下替換掉GAT管子應(yīng)用電路中B和E之間必不可少的電阻。?

以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內(nèi)。本實用新型的要求保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。?