[實(shí)用新型]一種新型石墨堝底有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320262936.2 | 申請日: | 2013-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN203295654U | 公開(公告)日: | 2013-11-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李廣哲;趙聚來 | 申請(專利權(quán))人: | 寧晉晶興電子材料有限公司 |
| 主分類號: | C30B15/10 | 分類號: | C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司: | 河北東尚律師事務(wù)所 13124 | 代理人: | 王文慶 |
| 地址: | 055550 河北省邢臺*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 新型 石墨 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于太陽能級直拉單晶硅技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種新型石墨堝底。
背景技術(shù)
光伏產(chǎn)業(yè)經(jīng)過最近幾年的發(fā)展,已經(jīng)證明了,單晶硅太陽能級電池是今后人類最重要的綠色能源之一。高品質(zhì)、高產(chǎn)量、低成本是生產(chǎn)制作高效率太陽能電池的基本條件,也是企業(yè)發(fā)展的必要條件。目前,大多數(shù)單晶爐熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)都專注于改善單晶硅棒的質(zhì)量和降低生產(chǎn)成本,然而對于太陽能級單晶硅來說,最重要的通過改變熱場結(jié)構(gòu)提高單晶爐產(chǎn)能、提高單晶品質(zhì)和控制生產(chǎn)成本。
傳統(tǒng)上的拉晶系統(tǒng)由于設(shè)計(jì)及硬件上的缺陷,使得硅單晶的單晶參數(shù)以及硅單晶直徑在一定程度上無法得到有效控制。如圖1所示是現(xiàn)有技術(shù)中石墨堝底的結(jié)構(gòu)示意圖,石墨堝底用于承托多瓣的石墨堝邦,石墨堝邦對石英堝起支撐作用,圖中,堝底本體1整體上為圓盤形,其上表面的形狀與堝邦底部的形狀相適配,但是其承托范圍僅局限于堝邦底部凸棱4以內(nèi),再加上石墨堝邦經(jīng)過長時間高溫使用而老化,造成堝邦變形,導(dǎo)致堝邦上沿直徑擴(kuò)大;使石英堝內(nèi)熔液上下面積不一致,導(dǎo)致晶體生長速度與熔液界面下降速度,單晶直徑控制困難,造成單晶直徑粗細(xì)不均,單晶直徑過細(xì)硅棒只能作為原料重新回熔利用,嚴(yán)重影響單晶生產(chǎn)成本,且過多把使用過的單晶加入原料中,造成單晶參數(shù)、質(zhì)量明顯下降;還有可能造成堝邦蹭加熱器,嚴(yán)重時造成燜爐。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種有效控制單晶直徑、提高產(chǎn)量成品率的新型石墨堝底。
為解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案是:一種新型石墨堝底,包括堝底本體;所述堝底本體的外側(cè)設(shè)有用于承托堝邦底部凸棱的托盤。
其中,所述托盤為圓環(huán)形,并且其寬度大于凸棱底面的寬度。
其中,所述托盤的外側(cè)設(shè)有用于承托凸棱外側(cè)堝邦的凸臺。
其中,所述凸臺為圓環(huán)形,堝底本體的外側(cè)面、凸臺的內(nèi)側(cè)面和托盤的上表面圍成的凹槽的形狀與凸棱的形狀相適配。。
采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于:本實(shí)用新型通過在堝底本體上增設(shè)的托盤和凸臺,增加了堝底承托石墨堝邦的面積和范圍,避免了堝邦經(jīng)過長時間高溫使用而老化造成的堝邦變形,使晶體生長過程中晶體生長速度與熔液界面下降速度適中一致來控制單晶直徑,提高單晶產(chǎn)量成品率。
本實(shí)用新型具有如下特點(diǎn):
(1)本實(shí)用新型能有效改善因石墨堝邦長期使用、老化造成的堝邦上口不斷擴(kuò)張問題,提高了石墨堝邦的使用效果;
(2)本實(shí)用新型解決了因堝邦老化而造成單晶硅熔液上下直徑一致問題,降低了等徑過程中堝跟比人為干預(yù)的幾率,保證了單晶直徑良好控制和單晶生長的一次成晶到底率;
(3)本實(shí)用新型能夠有效保證單晶直徑控制,自單晶頭部至尾部直徑始終如一,避免了因直徑粗細(xì)不均造成過細(xì)單晶報廢,有效提高了硅原料使用率;
(4)本實(shí)用新型有效避免了因堝邦老化造成堝邦上沿不斷向外擴(kuò)張而導(dǎo)致堝邦蹭加熱器悶爐事故發(fā)生的幾率,提高了單晶爐產(chǎn)量成品率,降低了生產(chǎn)成本。
附圖說明
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)石墨堝底的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本實(shí)用新型石墨堝底的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖中:1、堝底本體,2、托盤,3、凸臺,4、凸棱。
具體實(shí)施方式
如圖2所示,本實(shí)用新型為一種新型石墨堝底,包括堝底本體1;堝底本體1的外側(cè)設(shè)有用于承托堝邦底部凸棱4的托盤2,托盤2為圓環(huán)形,并且其寬度大于凸棱4底面的寬度;托盤2的外側(cè)設(shè)有用于承托凸棱4外側(cè)堝邦的凸臺3,凸臺3為圓環(huán)形,堝底本體1的外側(cè)面、凸臺3的內(nèi)側(cè)面和托盤2的上表面圍成的凹槽的形狀與凸棱4的形狀相適配。本實(shí)用新型通過增設(shè)的托盤2和凸臺3增大了堝邦底部的支撐面積和范圍,可有效防止因堝邦老化導(dǎo)致的上沿直徑擴(kuò)張,進(jìn)而減少了堝邦蹭加熱器悶爐幾率,提升了單晶爐產(chǎn)量成品率,降低了生產(chǎn)成本。
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