[實用新型]一種具有干擾防護的移動硬盤

有效

• 申請號: 201320261736.5
• 申請日: 2013-05-15
• 公開（公告）號: CN203232698U
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發明（設計）人: 黃友華
• 申請（專利權）人: 成都市宏山科技有限公司
• 主分類號: G11B33/12
• 分類號: G11B33/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有干擾防護的移動硬盤，它包括移動硬盤的接口，其特征在于：所述的接口上連接有干擾防護電路，所述的干擾防護電路包括場效應管MOS1、場效應管MOS2、場效應管MOS3、可控硅整流器SCR、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、比較器和三極管，所述的場效應管MOS3的漏極同時與場效應管MOS2的漏極、電阻R1的一端、電阻R3的一端、電阻R4的一端相連，所述的場效應管MOS3的柵極與其的源極相連且同時連接在VDD上，所述的電阻R1的另一端串接在電阻R2上，且電阻R2的另一端接地，所述的電阻R3的另一端同時與三極管的基極和集電極相連，所述的三極管的發射極接地，所述的電阻R4的另一端連接在場效應管MOS1的源極上，所述的場效應管MOS1的漏極接地，柵極連接在比較器的輸出端上，所述的比較器的一個輸入端與三極管集電極相連，另一端連接在電阻R1和電阻R2之間，所述的可控硅整流器SCR的一端連接在場效應管MOS3的源極上，另一端同時連接在場效應管MOS2的柵極和源極上且接地。

2.根據權利要求1所述的一種具有干擾防護的移動硬盤，其特征在于：所述的場效應管MOS1和場效應管MOS3均為P型場效應管。

3.根據權利要求2所述的一種具有干擾防護的移動硬盤，其特征在于：所述的場效應管MOS2為N型場效應管。

4.根據權利要求1所述的一種具有干擾防護的移動硬盤，其特征在于：所述的電阻R4的阻值大于電阻R3的阻值。