[實(shí)用新型]一種功率MOSFET的溝槽終端結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320254969.2
• 申請(qǐng)日: 2013-05-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203260588U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王新
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都瑞芯電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 成都行之專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51220
• 代理人: 梁田

1.一種功率MOSFET的溝槽終端結(jié)構(gòu)，包括襯底（21）和位于襯底上的外延層（22），包括如下全部特征：

所述外延層（22）上具有第一溝槽（18）和第二溝槽（19）；在溝槽內(nèi)有柵氧化層（23a）；所述第一溝槽內(nèi)部有多晶硅形成的柵電極（24a）；所述第二溝槽內(nèi)部有多晶硅形成的懸浮場(chǎng)板（24b）；

在第一溝槽（18）和第二溝槽（19）之間以及第一溝槽靠芯片邊界（17）一側(cè)具有體區(qū)（25）；在第一溝槽靠芯片邊界一側(cè)的體區(qū)上面還有源區(qū)（27）；

在硅片表面還具備隔離氧化層（29），在隔離氧化層上有與源區(qū)形成良好歐姆接觸的源級(jí)接觸結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述功率MOSFET的溝槽終端結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述隔離氧化層(29)材料為BPSG。

3.如權(quán)利要求1所述功率MOSFET的溝槽終端結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述襯底電阻率為1~3‰ohm.cm。

4.如權(quán)利要求1所述功率MOSFET的溝槽終端結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述襯底厚度為200微米。

5.如權(quán)利要求1所述功率MOSFET的溝槽終端結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述源級(jí)接觸結(jié)構(gòu)包括隔離氧化層上的金屬接觸孔(28)；在外延層上與金屬接觸孔相交的區(qū)域注入歐姆接觸區(qū)(26)；以及從歐姆接觸區(qū)穿過(guò)金屬接觸孔伸出隔離氧化層的金屬引線（210）。