[實用新型]一種減少硅通孔電鍍銅后表面過電鍍的待鍍樣片有效
| 申請號： | 201320253654.6 | 申請日： | 2013-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN203300641U | 公開（公告）日： | 2013-11-20 |
| 發明（設計）人： | 于大全;伍恒;程萬 | 申請（專利權）人： | 江蘇中科物聯網科技創業投資有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/538 | 分類號： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務所 32104 | 代理人： | 殷紅梅 |
| 地址： | 214135 江蘇省無錫市新*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 減少 硅通孔電 鍍銅 表面 電鍍 樣片 | ||
【權利要求書】：
1.一種減少硅通孔電鍍銅后表面過電鍍的待鍍樣片，包括晶圓（5），晶圓（5）表面上刻蝕有一垂直硅通孔（4），在晶圓（5）表面上由內至外依次設置有絕緣層（3）、擴散阻擋層（2）和銅種子層（1）；其特征是：在銅種子層（1）外還設置有表面涂層（6）；所述表面涂層（6）的厚度為4-200nm。
2.如權利要求1所述減少硅通孔電鍍銅后表面過電鍍的待鍍樣片，其特征是：所述表面涂層（6）的厚度為4-50nm。
3.如權利要求1所述減少硅通孔電鍍銅后表面過電鍍的待鍍樣片，其特征是：所述擴散阻擋層（2）和銅種子層（1）的厚度均為10-200mm。
4.如權利要求1所述減少硅通孔電鍍銅后表面過電鍍的待鍍樣片，其特征是：所述表面涂層（6）在垂直硅通孔（4）孔口處的高度不大于所述晶圓（5）表層的絕緣層（3）、擴散阻擋層（2）和銅種子層（1）三者厚度之和。
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