[實(shí)用新型]分流器及一種電流采樣及電路控制裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320245884.8
• 申請(qǐng)日: 2013-05-08
• 公開（公告）號(hào): CN203337707U
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 付振興;張曉寧;胡協(xié)力
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 泰科電子（深圳）有限公司
• 主分類號(hào): G01R15/00
• 分類號(hào): G01R15/00;G01R11/02
• 代理公司: 上海脫穎律師事務(wù)所 31259
• 代理人: 脫穎;李強(qiáng)

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種分流器及一種電流采樣及電路控制裝置。?

背景技術(shù)

分流器是電流計(jì)量領(lǐng)域常用的器件，其對(duì)被測(cè)量電路的電流采樣，利用電流表測(cè)量通過分流器的電流值，通過計(jì)算可得出被測(cè)量電路中的電流值。圖1所示為一種分流器結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，其結(jié)構(gòu)包括第一接線柱31、第二接線柱32、采樣電阻33及第一導(dǎo)線34、第二導(dǎo)線35。第一接線柱31和第二接線柱32分別設(shè)置在采樣電阻33兩端，并與采樣電阻33接觸連接。第一導(dǎo)線34與采樣電阻33在第一采樣點(diǎn)36連接；第二導(dǎo)線35與采樣電阻33在第二采樣點(diǎn)37連接。第一導(dǎo)線34與第二導(dǎo)線35在絞合點(diǎn)38開始絞合延伸。在實(shí)際使用時(shí)，絞合點(diǎn)38與第一采樣點(diǎn)36之間的第一導(dǎo)線34、絞合點(diǎn)38與第二采樣點(diǎn)37之間的第二導(dǎo)線35及第一采樣點(diǎn)36和第二采樣點(diǎn)37之間的采樣電阻33形成一環(huán)路區(qū)域39。由電磁感應(yīng)定律可知，當(dāng)穿過該環(huán)路區(qū)域39的磁場(chǎng)發(fā)生變化時(shí)，會(huì)在形成該環(huán)路區(qū)域的導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生感應(yīng)電流。感應(yīng)電流的產(chǎn)生會(huì)導(dǎo)致電流表檢測(cè)到的電流值與實(shí)際電流值不一致，存在誤差，影響測(cè)量精度。?

繼電器是常用的電控制器件。繼電器的工作原理是利用線圈中的小電流產(chǎn)生電磁場(chǎng)，控制大電流開關(guān)的動(dòng)作，以控制主電路的連通或斷開。當(dāng)需要切換狀態(tài)時(shí)，利用線圈中的激勵(lì)電流產(chǎn)生的電磁場(chǎng)來完成切換，以控制主電路的連通或斷開。這樣的繼電器大量使用于智能電表中。當(dāng)智能電表工作時(shí)，如果在其周邊環(huán)境中存在其他磁場(chǎng)，這些磁場(chǎng)會(huì)干擾到繼電器內(nèi)的線圈所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的工作，導(dǎo)致繼電器性能降低甚至失靈。?

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的之一是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種可屏蔽外部磁場(chǎng)，特別是變化或交變磁場(chǎng)干擾的分流器。?

為實(shí)現(xiàn)以上目的，本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：?

分流器，其特征在于，包括：?

第一接線柱；?

第二接線柱；?

采樣電阻，所述采樣電阻兩端分別與第一接線柱和第二接線柱接觸連接；?

第一導(dǎo)線，所述第一導(dǎo)線與所述第一接線柱或所述采樣電阻在第一采樣點(diǎn)連接；?

第二導(dǎo)線，所述第二導(dǎo)線與第二接線柱或所述采樣電阻在第二采樣點(diǎn)連接；?

所述第一導(dǎo)線與第二導(dǎo)線在絞合點(diǎn)開始絞合延伸；?

還包括可屏蔽外部磁場(chǎng)干擾的屏蔽罩，所述屏蔽罩包圍或環(huán)繞所述第一采樣點(diǎn)、第二采樣點(diǎn)及絞合點(diǎn)所形成的環(huán)路區(qū)域。?

優(yōu)選地是，所述第一采樣點(diǎn)位于所述第一接線柱上，所述第二采樣點(diǎn)位于所述第二接線柱上；所述屏蔽罩包圍或環(huán)繞由所述絞合點(diǎn)、包括第一采樣點(diǎn)的部分第一接線柱、部分或全部采樣電阻和包括第二采樣點(diǎn)的部分第二接線柱所形成的環(huán)路區(qū)域。?

優(yōu)選地是，所述第一采樣點(diǎn)和所述第二采樣點(diǎn)位于所述采樣電阻上；所述屏蔽罩包圍或環(huán)繞由所述絞合點(diǎn)、包括第一采樣點(diǎn)和第二采樣點(diǎn)的部分或全部采樣電阻所形成的環(huán)路區(qū)域。?

優(yōu)選地是，所述屏蔽罩包括一對(duì)端邊，所述一對(duì)端邊分別粘接在采樣電阻正反兩個(gè)表面上。?

優(yōu)選地是，所述屏蔽罩包圍或環(huán)繞全部采樣電阻。?

優(yōu)選地是，所述屏蔽罩為導(dǎo)磁罩，所述屏蔽罩為鐵質(zhì)屏蔽罩、碳鋼屏蔽罩、硅鋼屏蔽罩或鐵質(zhì)合金屏蔽罩。?

優(yōu)選地是，所述屏蔽罩為坡莫合金罩，并粘接在采樣電阻上。?

優(yōu)選地是，所述采樣電阻為錳銅片。?

優(yōu)選地是，所述屏蔽罩與第一接線柱、第二接線柱、采樣電阻、第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線絕緣地設(shè)置。?

優(yōu)選地是，所述屏蔽罩為筒狀，自上開口端延伸至下開口端；所述屏蔽罩設(shè)置在所述采樣電阻上端或采樣電阻上端及第一接線柱、第二接線柱兩者之一或全部的上端，并且所述屏蔽罩向上延伸至覆蓋所述絞合點(diǎn)。?

優(yōu)選地是，所述屏蔽罩下開口端設(shè)置有卡槽，所述采樣電阻上端或采樣電阻上端及第一接線柱、第二接線柱兩者之一或全部的上端嵌入所述卡槽內(nèi)；所述屏蔽罩的下開口端低于所述采樣電阻的上端。?

優(yōu)選地是，所述的屏蔽罩通過第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線固定。?

優(yōu)選地是，所述的屏蔽罩內(nèi)設(shè)置有橫桿；所述橫桿位于上開口端與下開口端之間，并位于所述絞合點(diǎn)與所述采樣電阻之間；所述第一導(dǎo)線與第二導(dǎo)線通過所述橫桿將所述屏蔽罩固定在所述采樣電阻上端或采樣電阻上端及第一接線柱、第二接線柱兩者之一或全部的上端。?

優(yōu)選地是，所述橫桿為非導(dǎo)體橫桿。?

優(yōu)選地是，所述采樣電阻、第一接線柱和第二接線柱的其中兩者上端分別設(shè)置有一個(gè)凸肩；所述屏蔽罩設(shè)置于兩個(gè)凸肩之間。?